杨霏

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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：衬底硅衬底MNN型硅单晶更多>>
发文领域：电子电信电气工程更多>>
发文期刊：《功能材料》《功能材料与器件学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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低能碳离子束沉积(111)织构的立方SiC薄膜
《Journal of Semiconductors》2005年第12期2385-2389,共5页杨霏 陈诺夫 张兴旺 杨少延 刘志凯 柴春林 侯哲哲 马辉 尹志刚 
国家自然科学基金(批准号:60176001;60390072);国家重大基础研究发展规划(批准号:2002CB311905;G20000365)资助项目~~
在硅衬底上利用具有质量选择功能的低能离子束沉积技术沉积碳离子制备出除碳、硅之外无其他杂质元素的纯净的立方SiC薄膜.利用X射线光电子谱、俄歇电子能谱、X射线衍射对样品进行了表征.结果显示常温和400℃制备的样品为非晶结构,在800...
关键词：3C-SIC 离子束沉积 (111)织构 低能量 扩散 通道效应 
Mn注入n型Ge单晶的特性研究
《功能材料与器件学报》2005年第1期15-18,共4页刘力锋 陈诺夫 尹志岗 杨霏 周剑平 张富强 
国家自然科学基金G60176001及G60390072;国家重大基础研究计划项目G20000365及G2002CB311905
采用离子能量为100keV,剂量为3×1016cm-2的离子注入技术,室温下往n型Ge(111)单晶衬底注入Mn+离子,注入后的样品进行400℃热处理。利用X-射线衍射法(XRD)和原子力显微镜(AFM)对注入后的样品进行了结构和形貌分析,俄歇电子能谱法(AES)进...
关键词：离子注入 锗 铁磁性 稀磁半导体 
Mn注入n型Ge单晶的磁性研究
《功能材料》2004年第z1期1219-1221,1224,共4页刘力锋 陈诺夫 尹志岗 杨霏 周剑平 
国家自然科学基金资助项目(60176001);国家重大基础研究计划资助项目(G20000365)
利用离子注入方法,以离子能量为100keV,剂量为3×1016cm-2,室温下往n型Ge(111)单晶衬底注入Mn+离子,注入后的样品分别在400和600℃氮气氛下进行热处理.利用交变梯度样品磁强计室温下对样品进行了磁性测量,利用X射线衍射法分析了样品的...
关键词：离子注入 铁磁性 MnxGe1-x 
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