铅掺杂对BST铁电薄膜性能的影响  

Effect of lead additives on the electrical properties of BST ferroelectrics thin film

作　　者：姜胜林[1] 曾亦可[1] 刘少波[1] 刘梅冬[1] 

机构地区：[1]华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074 华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074 中国科学院电工研究所,北京,100080 华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074

出　　处：《功能材料》2004年第z1期1315-1319,共5页Journal of Functional Materials

基　　金：国家高技术研究发展计划资助项目(2002AA325080);国家自然科学基金重大研究计划项目(90201028)

摘　　要：为了改善BST铁电薄膜的结晶性能,降低薄膜材料的铁电弛豫和弥散相变特性,采用改进的溶胶-凝胶(sol-gel)方法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了不同铅掺杂的BST薄膜(PBST).研究了PBST薄膜的微观结构及其介电、铁电性能.XRD、AFM分析表明,铅对(101、110)峰的生长促进作用最大,掺入5mol%Pb以上的PBST薄膜的结晶状况得到了明显改善;铅的引入使晶粒增大,降低了薄膜的频率色散现象,相变温区有不同程度紧缩;薄膜的介电、铁电性增强.PBST(0.80/0.20/0.05)薄膜具有适当的相变温区、合适的Tmax值、较小频率色散及比BST薄膜更为明显的介电峰与铁电性等特征,可以作为UFPA系统的探测材料.

关 键 词：铅掺杂 BST铁电薄膜 结晶性能 铁电弛豫和弥散相变 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]