氢、氧等离子体处理对氮化硼薄膜场发射特性的影响  

Influence of hydrogen and oxygen plasma treatment on field emission characteristics of boron nitride thin films

作　　者：李卫青[1] 顾广瑞[1] 李英爱[1] 何志[1] 冯伟[1] 刘丽华[1] 赵春红[1] 赵永年[1] 

机构地区：[1]吉林大学,超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130023 吉林大学,超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130023 吉林大学,超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130023 吉林大学,超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130023 吉林大学,超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130023 吉林大学,超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130023 吉林大学,超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130023 吉林大学,超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130023

出　　处：《功能材料》2004年第z1期2196-2198,共3页Journal of Functional Materials

摘　　要：用RF磁控溅射的方法在Si(100)基底上沉积了纳米氮化硼薄膜,然后分别用氢、氧等离子体对薄膜表面进行了处理,用红外光谱、原子力显微镜、光电子能谱以及场发射试验对薄膜进行了研究,结果表明氢等离子体使BN薄膜表面NEA增加,阈值电场降低,发射电流明显增大.氧等离子体处理对BN薄膜的场发射特性影响不大,只是发射电流略有降低,这只能是由于氧化层存在的原因.

关 键 词：氮化硼薄膜 场发射 表面处理 阈值电场 发射电流 

分 类 号：O484[理学—固体物理]