水平掺硅砷化镓单晶生长过程中位错的控制  

The control on EPD during growing HB-GaAs-Si single crystals

作　　者：于洪国[1] 武壮文[1] 王继荣[1] 张海涛[1] 

机构地区：[1]北京有色金属研究总院,国瑞电子材料有限责任公司,北京,100088 北京有色金属研究总院,国瑞电子材料有限责任公司,北京,100088 北京有色金属研究总院,国瑞电子材料有限责任公司,北京,100088 北京有色金属研究总院,国瑞电子材料有限责任公司,北京,100088

出　　处：《功能材料》2004年第z1期3079-3080,共2页Journal of Functional Materials

摘　　要：讨论了如何在水平砷化镓单晶生长过程中进行位错控制,通过控制熔区的长短,使单晶的生长过程更趋稳定,和控制生长界面的形状以及界面处的温度梯度,减少了位错的产生和增殖.采取以上措施可以在一定程度上降低位错.

关 键 词：水平砷化镓 位错密度 熔区 温度梯度 

分 类 号：TN304.2+3[电子电信—物理电子学] O782[理学—晶体学]