武壮文

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发文主题：砷化镓单晶单晶单晶生长温度梯度位错密度更多>>
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反偏籽晶晶向生长Φ2″HB-GaAs单晶
《稀有金属》2004年第3期458-461,共4页王继荣 武壮文 于洪国 张海涛 
HB-GaAs ( 10 0 )片要偏离生长截面 5 4.7°～ 60°切割 (〈10 0〉和〈111〉之间的夹角是 5 4.7°)。如果籽晶方向与〈10 0〉之间的夹角少于 5 4.7°,称为反偏籽晶。而采用大于 5 4.7°角生长的单晶切割比较困难 ,尤其是厚度小于 3 0 0 ...
关键词：反偏籽晶 热导率 HB-GaAs单晶生长 
水平掺硅砷化镓单晶生长过程中位错的控制
《功能材料》2004年第z1期3079-3080,共2页于洪国 武壮文 王继荣 张海涛 
讨论了如何在水平砷化镓单晶生长过程中进行位错控制,通过控制熔区的长短,使单晶的生长过程更趋稳定,和控制生长界面的形状以及界面处的温度梯度,减少了位错的产生和增殖.采取以上措施可以在一定程度上降低位错.
关键词：水平砷化镓 位错密度 熔区 温度梯度 
绿色 LED 用Φ45 mm GaP LPE 材料研制
《稀有金属》1993年第6期470-472,475,共4页李桂英 武壮文 苏小平 
GaP LPE 材料是制造 LED 的主要基础材料。GaP LED 是一种效率高、寿命长的发光显示器件,它广泛应用于国民经济的各个领域中。GaP LPE 材料的制备工艺研究具有重要社会意义。(一)实验本研究采用气相掺氮。
关键词：磷化镓 研制 LPE法 
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