于洪国

作品数：3被引量：1H指数：1
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供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
发文主题：砷化镓单晶单晶温度梯度位错密度中位更多>>
发文领域：电子电信理学语言文字更多>>
发文期刊：《稀有金属》《河北大学学报（自然科学版）》《功能材料》更多>>
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掺硫LEC-GaP单晶载流子的分布被引量：1
《河北大学学报（自然科学版）》2019年第4期347-352,共6页林泉 马英俊 于洪国 许兴 马远飞 朱显超 
河北省科技计划项目(15211103D)
采用高压液封直拉法生长2英寸N型掺硫GaP单晶,通过浮舟技术控制直径.按照理论公式计算出掺杂量,采用范德堡法测试掺硫GaP单晶头部、中部和尾部的载流子浓度.分析了固液界面形状对载流子分布的影响,在平坦的固液界面下得到的单晶载流子...
关键词：高压液封直拉法 浮舟技术 范德堡法 载流子浓度分布 
反偏籽晶晶向生长Φ2″HB-GaAs单晶
《稀有金属》2004年第3期458-461,共4页王继荣 武壮文 于洪国 张海涛 
HB-GaAs ( 10 0 )片要偏离生长截面 5 4.7°～ 60°切割 (〈10 0〉和〈111〉之间的夹角是 5 4.7°)。如果籽晶方向与〈10 0〉之间的夹角少于 5 4.7°,称为反偏籽晶。而采用大于 5 4.7°角生长的单晶切割比较困难 ,尤其是厚度小于 3 0 0 ...
关键词：反偏籽晶 热导率 HB-GaAs单晶生长 
水平掺硅砷化镓单晶生长过程中位错的控制
《功能材料》2004年第z1期3079-3080,共2页于洪国 武壮文 王继荣 张海涛 
讨论了如何在水平砷化镓单晶生长过程中进行位错控制,通过控制熔区的长短,使单晶的生长过程更趋稳定,和控制生长界面的形状以及界面处的温度梯度,减少了位错的产生和增殖.采取以上措施可以在一定程度上降低位错.
关键词：水平砷化镓 位错密度 熔区 温度梯度 
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