AgGaS2单晶生长温场研究  

The study of temperature-field on AgGaS2 single crystal growth

作　　者：陈宝军[1] 朱世富[1] 赵北君[1] 张建军[1] 张伟[1] 刘敏文[1] 李一春[1] 刘娟[1] 黎明[1] 

机构地区：[1]四川大学,材料科学系,四川,成都,610064 四川大学,材料科学系,四川,成都,610064 四川大学,材料科学系,四川,成都,610064 四川大学,材料科学系,四川,成都,610064 四川大学,材料科学系,四川,成都,610064 四川大学,材料科学系,四川,成都,610064 四川大学,材料科学系,四川,成都,610064 四川大学,材料科学系,四川,成都,610064 四川大学,材料科学系,四川,成都,610064

出　　处：《功能材料》2004年第z1期3081-3083,共3页Journal of Functional Materials

摘　　要：根据AgGaS2晶体的生长习性,分析了AgGaS2晶体生长对生长炉温场的要求,设计了三温区的生长炉,并对其温场进行了测试实验.在测试结果中选择较好的温场进行AgGaS2晶体生长,得到了外形较完整、品质较高的晶体.

关 键 词：硫镓银晶体 单晶生长 B-S法 温场设计 

分 类 号：O782[理学—晶体学]