AgGaS2晶体生长过程中的过冷度研究  

Degree of supercooling studies of AgGaS2 single crystal growth

作　　者：刘娟[1] 赵北君[1] 朱世富[1] 张伟[1] 张建军[1] 刘敏文[1] 李一春[1] 陈宝军[1] 黎明[1] 

机构地区：[1]四川大学,材料科学系,四川,成都,610064 四川大学,材料科学系,四川,成都,610064 四川大学,材料科学系,四川,成都,610064 四川大学,材料科学系,四川,成都,610064 四川大学,材料科学系,四川,成都,610064 四川大学,材料科学系,四川,成都,610064 四川大学,材料科学系,四川,成都,610064 四川大学,材料科学系,四川,成都,610064 四川大学,材料科学系,四川,成都,610064

出　　处：《功能材料》2004年第z1期3093-3095,共3页Journal of Functional Materials

摘　　要：根据熔体生长系统中相变驱动力的基础理论,针对AgGaS2过冷度较大的特点,采用自发成核后升温熔料、下降安瓿后上提熔料以及加类籽晶等工艺研究了AgGaS2晶体生长过程中因过冷度大而难于生长较大尺寸单晶体的问题,生长出了外形完整、无裂纹的尺寸达φ15mm×20mm的较高质量AgGaS2单晶体.

关 键 词：硫镓银 单晶生长 过冷度 

分 类 号：O795[理学—晶体学]