热丝辅助ECR-CVD制备a-Si:H薄膜的红外和光致衰退研究  

Ivestigation of infrared spectra and light-induced degradation of the a-Si:H film synthesized by ECR-CVD assisted hot-wire

作　　者：荣延栋[1] 阴生毅[1] 胡跃辉[1] 吴越颖[1] 朱秀红[1] 周怀恩[1] 张文理[1] 邓金祥[1] 陈光华[1] 

机构地区：[1]北京工业大学,新型功能材料教育部重点实验室,北京100022

出　　处：《功能材料》2004年第z1期3181-3183,共3页Journal of Functional Materials

基　　金：国家重点基础研究发展计划973资助项目(G2000028201-1)

摘　　要：采用热丝辅助MWECR-CVD系统制备出了a-Si:H薄膜.应用傅立叶红外仪测量了薄膜的红外谱,用共面蒸铝电极法测量了薄膜的光电导.通过比较A样品(加入热丝)和B样品(未加热丝),得出在热丝辅助MWECR-CVD系统制备非晶硅薄膜过程中,热丝的光照对薄膜的抗衰退起到了关键作用,用该系统制备非晶硅薄膜,大大降低了薄膜中的总氢含量,提高了薄膜的稳定性,同时,Si-H键合体的摇摆模发生了红移.

关 键 词：非晶硅 红外 光致衰退 

分 类 号：O484.5[理学—固体物理]