云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 张文理

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采用两步压强法制备优质微晶硅薄膜: 《人工晶体学报》2006年第6期1203-1208,共6页朱秀红陈光华刘国汉丁毅何斌张文理马占洁郜志华李志中; 国家重点基础研究发展计划(973)项目(No.G2000028201-1)资助课题; 针对氢化微晶硅薄膜吸收系数较低、制备需要较高厚度,从而需要较高沉积速度的问题,考虑到压强对沉积速度及晶化比的重要影响,在分析了单一压强法制备薄膜优缺点的基础上,提出了采用两步法来制备高质量微晶硅薄膜的方法。即先采用高压制...; 关键词：微晶硅沉积速度晶化比孵化层稳定性

氢化非晶硅薄膜光衰退稳定性的影响因素: 《真空科学与技术学报》2006年第z1期98-100,共3页马占洁陈光华何斌刘国汉朱秀红张文理李志中郜志华宋雪梅邓金祥; 用热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积制备样品,通过红外吸收谱图和光衰退图,分析影响a-Si:H薄膜光衰退稳定性的因素:一方面,非晶硅网格中氢含量、氢硅键合方式以及氢的运动情况均对非晶硅材料的稳定性起着十分重要的作用,另一方面,...; 关键词：A-SI:H 光衰退稳定性氢运动微晶硅

热丝辅助MW-ECRCVD制备a-Si:H薄膜及硅-氢键合模式变化的研究: 《真空科学与技术学报》2006年第z1期67-70,共4页张文理陈光华何斌朱秀红马占洁丁毅刘国汉郜志华宋雪梅; 采用热丝辅助微波电子回旋共振化学汽相沉积(MW ECR-CVD)系统制备氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜.实验证明在原有的MW ECR-CVD基础上加入热丝辅助系统能有效提高a-Si:H薄膜的沉积速率并大幅改善薄膜的稳定性;薄膜的沉积速率随着沉积压强的增加...; 关键词：A-SI:H薄膜沉积速率键合模式光致衰退

氢化非晶硅薄膜的红外光谱分析和桥键氢扩散假设(英文): 《功能材料》2005年第6期940-944,共5页周怀恩朱秀红胡跃辉马占杰张文理李瀛陈光华; ProjectsupportedbyStateKeyDeveloopmentProgramforBasicResearchofChina(G2000028201); 通过红外透射光谱研究了在光诱导退火中退火条件对氢化非晶硅薄膜的结构和光电特性的影响,实验所用样品采用热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积方法制备。我们用桥键氢扩散模型来解释退火中的不同现象。样品的红外光谱在630和2000cm-...; 关键词：氢化非晶硅薄膜氢间隙扩散微波电子回旋共振傅立叶变换红外光谱

Growth Rate of a-Si∶H Film Influenced by Magnetic Field Gradient in MWECR CVD Plasma System被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2004年第6期613-619,共7页胡跃辉吴越颖陈光华王青张文理阴生毅; 国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号 :G2 0 0 0 0 2 82 0 1)~~; The magnetic field profiles,which are produced by three ways in the deposition chamber and plasma chamber of single coil divergent field MWECR CVD system,are investigated.The magnetic field gradient of these magnetic ...; 关键词：magnetic field gradient Lorentz fit a-Si∶H film deposition rate MWECR CVD deposition system

一种新型磁场MWECR-CVD和氢化非晶硅薄膜制备被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2004年第5期530-534,共5页殷生毅陈光华吴越颖王青刘毅张文理宋雪梅邓金祥; 国家重点基础研究发展规划资助项目 (No.G2 0 0 0 0 2 82 0 1)~~; 为了简化多电磁线圈 MWECR- CVD装置 ,提出将单个电磁线圈和一个永磁体单元组合 ,以形成所需的新型磁场 .这一磁场可使等离子体集聚于样片台上方 ,显著提高了等离子体的能量密度 .应用这种新型磁场的 MWE-CR- CVD装置沉积氢化非晶硅薄...; 关键词：ECR—CVD 永磁体磁场氢化非晶硅

MWECRCVD等离子体系统梯度磁场对沉积a-Si:H薄膜特性研究被引量：3: 《物理学报》2004年第7期2263-2269,共7页胡跃辉阴生毅陈光华吴越颖周小明周健儿王青张文理; 国家重点基础研究发展规划项目 (批准号 :G2 0 0 0 0 2 82 0 1)资助的课题~~; 分别研究了磁场线圈电流为 115 2和 137 7A以及 137 7A并在加热台下加放SmCo永磁体的方法 ,来改变单磁场线圈分散场MWECRCVD系统等离子体室及沉积室磁场形貌 .用洛伦兹拟合定量地得到了三种磁场形貌的磁场梯度 .研究了磁场梯度对沉积a ...; 关键词：梯度磁场洛伦兹拟合微波电子回旋共振化学气相沉积技术薄膜生长沉积速率

热丝辅助ECR-CVD制备a-Si:H薄膜的红外和光致衰退研究: 《功能材料》2004年第z1期3181-3183,共3页荣延栋阴生毅胡跃辉吴越颖朱秀红周怀恩张文理邓金祥陈光华; 国家重点基础研究发展计划973资助项目(G2000028201-1); 采用热丝辅助MWECR-CVD系统制备出了a-Si:H薄膜.应用傅立叶红外仪测量了薄膜的红外谱,用共面蒸铝电极法测量了薄膜的光电导.通过比较A样品(加入热丝)和B样品(未加热丝),得出在热丝辅助MWECR-CVD系统制备非晶硅薄膜过程中,热丝的光照对...; 关键词：非晶硅红外光致衰退

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