丁毅

作品数：6被引量：17H指数：2
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热丝辅助MWECR-CVD法沉积氢化非晶硅薄膜研究被引量：1
《太阳能学报》2006年第10期986-989,共4页刘国汉 丁毅 朱秀红 何斌 陈光华 贺德衍 
国家重点基础研究发展规划资助项目(G000028201);甘肃省自然科学基金项目(3ZS051-A25-052)
为了降低a-Si:H薄膜中的氢含量,提高其稳定性,在我们MWECR-CVD系统中引入了热丝装置,热丝对等离子体的热辐射使等离子体升温,既促进了气体的进一步分解和电离,获得较多的低氢原子基团,也减少了活性高硅烷聚合物的生成,从而使薄膜中的(Si...
关键词：电子回旋共振 等离子体增强化学气相沉积 氢化非晶硅薄膜 热丝 光致衰退效应 
HW-MWECR-CVD法制备氢化微晶硅薄膜及其微结构研究被引量：9
《物理学报》2006年第11期6147-6151,共5页刘国汉 丁毅 朱秀红 陈光华 贺德衍 
国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:G000028201);甘肃省自然科学基金(批准号:3ZS051-A25-052)资助的课题.~~
用热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积方法制备出高晶化体积分数的氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜.拉曼散射和X射线衍射技术对样品的微观结构测量分析表明,当反应气体中SiH4浓度在3.6%—50%之间大范围变化时,μc-Si:H薄膜均具有高的晶化...
关键词：微波电子回旋共振化学气相沉积 氢化微晶硅薄膜 拉曼散射 X射线衍射 
采用两步压强法制备优质微晶硅薄膜
《人工晶体学报》2006年第6期1203-1208,共6页朱秀红 陈光华 刘国汉 丁毅 何斌 张文理 马占洁 郜志华 李志中 
国家重点基础研究发展计划(973)项目(No.G2000028201-1)资助课题
针对氢化微晶硅薄膜吸收系数较低、制备需要较高厚度,从而需要较高沉积速度的问题,考虑到压强对沉积速度及晶化比的重要影响,在分析了单一压强法制备薄膜优缺点的基础上,提出了采用两步法来制备高质量微晶硅薄膜的方法。即先采用高压制...
关键词：微晶硅 沉积速度 晶化比 孵化层 稳定性 
用射频溅射法制备立方氮化硼薄膜被引量：5
《物理学报》2006年第10期5441-5443,共3页田凌 丁毅 陈浩 刘钧锴 邓金祥 贺德衍 陈光华 
国家自然科学基金(批准号:60376007)资助的课题.~~
利用射频溅射方法在n型Si(111)衬底上制备出立方相含量接近100%且粘附性较高的立方氮化硼(c-BN)薄膜.傅里叶变换红外谱(FTIR)的结果表明,基底负偏压对薄膜立方相含量和薄膜压应力有很大影响,另外,衬底的电阻率对c-BN生长和薄膜的压应力...
关键词：立方氮化硼 射频溅射 压应力 基底负偏压 
MWECR-CVD法高速沉积氢化非晶硅薄膜被引量：2
《兰州大学学报（自然科学版）》2006年第2期43-46,共4页刘国汉 丁毅 何斌 朱秀红 陈光华 贺德衍 
国家重点基础研究发展规划资助项目(G000028201)。
介绍了一种新型的 MWECR-CVD 装置．该装置设计采用了一种由单个电磁线圈和永磁体单元组合的新型磁场,设计了一种新型的矩形耦合波导．应用这一装置使 a-Si∶H 薄膜的沉积速率达到了 2nm／s 以上．为了降低薄膜的光致衰退效应,提出了热...
关键词：微波电子回旋共振化学气相沉积 氢化非晶硅薄膜 磁场 微波 热丝 
热丝辅助MW-ECRCVD制备a-Si:H薄膜及硅-氢键合模式变化的研究
《真空科学与技术学报》2006年第z1期67-70,共4页张文理 陈光华 何斌 朱秀红 马占洁 丁毅 刘国汉 郜志华 宋雪梅 
采用热丝辅助微波电子回旋共振化学汽相沉积(MW ECR-CVD)系统制备氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜.实验证明在原有的MW ECR-CVD基础上加入热丝辅助系统能有效提高a-Si:H薄膜的沉积速率并大幅改善薄膜的稳定性;薄膜的沉积速率随着沉积压强的增加...
关键词：A-SI:H薄膜 沉积速率 键合模式 光致衰退 
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