A-SI:H薄膜

作品数：23被引量：52H指数：5
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束流对氢离子源辅助磁控溅射制备a-Si:H薄膜结构特性的影响被引量：1
《真空科学与技术学报》2016年第6期654-658,共5页黄俊俊 王辉 丁明 周守发 李梦雨 刘琦 高敏 王维燕 
安徽省教育厅一般项目(KJ2015B1105905);中国科学院能量转换材料重点实验室开放课题基金(KF2016001)资助
利用氢离子源辅助磁控溅射制备氢化非晶硅薄膜(a-Si:H),借助拉曼光谱仪、红外光谱仪和椭圆偏振光谱仪等分析测试手段,研究氢离子源束流对a-Si:H薄膜结构特性影响规律。结果表明采用氢离子源辅助磁控溅射制备a-Si:H薄膜,有利于改善a-Si:...
关键词：离子源辅助溅射 非晶硅薄膜 结构性能 束流 
基片温度对掺磷a-Si:H薄膜光电性能的影响
《实验科学与技术》2009年第5期10-13,72,共5页金鑫 李远程 邓坤 陈宇翔 李伟 
采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法制备磷掺杂氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜。研究了不同基片温度对薄膜沉积速率、电阻率、折射率以及光学带隙等的影响。结果表明:a-Si:H薄膜的沉降速率随着基片温度的升高而增大;薄膜的电阻率随...
关键词：基片温度 A-SI:H薄膜 RF-PECVD 电阻率 光学性能 
掺硼a-Si:H薄膜脉冲快速光热退火(PRPTA)的研究
《真空》2007年第3期28-31,共4页汪昌州 杨仕娥 赵尚丽 文书堂 卢景霄 
河南省科技攻关项目(0424210016)
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备掺硼非晶硅(a-Si:H)薄膜,然后用脉冲快速光热退火(PRPTA)法对其进行固相晶化。研究结果表明:掺硼a-Si:H薄膜在550℃恒温条件下退火3h后,其结晶状况无明显变化;而通过加高温热脉冲可以...
关键词：掺硼非晶硅薄膜 脉冲快速光热退火 固相晶化 
热丝辅助MW-ECRCVD制备a-Si:H薄膜及硅-氢键合模式变化的研究
《真空科学与技术学报》2006年第z1期67-70,共4页张文理 陈光华 何斌 朱秀红 马占洁 丁毅 刘国汉 郜志华 宋雪梅 
采用热丝辅助微波电子回旋共振化学汽相沉积(MW ECR-CVD)系统制备氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜.实验证明在原有的MW ECR-CVD基础上加入热丝辅助系统能有效提高a-Si:H薄膜的沉积速率并大幅改善薄膜的稳定性;薄膜的沉积速率随着沉积压强的增加...
关键词：A-SI:H薄膜 沉积速率 键合模式 光致衰退 
a-Si:H薄膜的再结晶技术及Si膜的Raman光谱分析被引量：5
《材料科学与工程学报》2005年第3期462-465,共4页冯团辉 张宇翔 王海燕 靳瑞敏 卢景霄 
河南省自然科学基金资助项目 (0 0 4 0 4 0 2 0 0)
论述了非晶硅薄膜的几种主要再结晶技术 ,着重指出了各种晶化技术已取得的研究成果、优缺点、有待进一步研究的内容及其在多晶硅薄膜太阳电池工业生产中的应用前景。另外 ,还讨论了通过Raman光谱求纳晶硅薄膜的晶粒尺寸和结晶度的方法。
关键词：非晶硅薄膜 再结晶技术 多晶硅薄膜太阳电池 RAMAN光谱 晶粒尺寸 结晶度 
热丝对微波ECRCVD方法制备的a-Si:H薄膜氢含量的影响
《液晶与显示》2005年第3期225-228,共4页李瀛 陈光华 朱秀红 胡跃辉 宋雪梅 
国家重点基础研究发展计划"973"资助项目(No.G20000282011)
采用微波ECRCVD系统制备了aSi∶H薄膜,对比有无热丝辅助情况下薄膜的生长情况,并通过红外光谱测试进行氢含量分析。aSi∶H薄膜中氢的引入对薄膜的光学、电学性能有着极大的影响,它可以钝化非晶硅薄膜中大量存在的悬挂键,降低薄膜的缺陷...
关键词：氢化非晶硅 微波ECR CVD沉积速率 氢含量 
Al诱导a-Si:H薄膜的晶化被引量：9
《真空科学与技术学报》2005年第1期57-60,共4页祁菁 金晶 胡海龙 贺德衍 
国家自然科学基金 (No .10 175 0 3 0 )
采用等离子体化学气相沉积方法在镀Al玻璃及单晶Si衬底上制备了氢化非晶硅 (a Si:H)薄膜 ,研究了样品在不同的热处理过程中Al对其晶化过程的影响。X射线衍射测量发现 ,由于Al的存在使a Si:H的晶化温度大幅度降低 ,并得到了有强烈 (111)...
关键词：A-SI:H薄膜 SI衬底 非晶硅 幅度 等离子体化学气相沉积 晶化 单晶 结晶取向 热处理过程 成核 
a-Si∶H薄膜的再结晶技术发展概述被引量：5
《能源工程》2004年第6期20-23,共4页冯团辉 卢景霄 张宇翔 郜小勇 王海燕 靳锐敏 
论述了非晶硅薄膜的主要再结晶技术,包括传统的炉子退火、金属诱导晶化、微波诱导晶化、快速热退火和激光晶化。着重指出了各种晶化技术已取得的研究成果、优缺点、有待进一步研究的内容及其在多晶硅薄膜太阳电池工业生产中的应用前景。
关键词：再结晶 激光晶化 炉子 金属 快速热退火 A-SI:H薄膜 非晶硅薄膜 研究成果 
MWECRCVD等离子体系统梯度磁场对沉积a-Si:H薄膜特性研究被引量：3
《物理学报》2004年第7期2263-2269,共7页胡跃辉 阴生毅 陈光华 吴越颖 周小明 周健儿 王青 张文理 
国家重点基础研究发展规划项目 (批准号 :G2 0 0 0 0 2 82 0 1)资助的课题~~
分别研究了磁场线圈电流为 115 2和 137 7A以及 137 7A并在加热台下加放SmCo永磁体的方法 ,来改变单磁场线圈分散场MWECRCVD系统等离子体室及沉积室磁场形貌 .用洛伦兹拟合定量地得到了三种磁场形貌的磁场梯度 .研究了磁场梯度对沉积a ...
关键词：梯度磁场 洛伦兹拟合 微波电子回旋共振化学气相沉积技术 薄膜生长 沉积速率 
热丝辅助ECR-CVD制备a-Si:H薄膜的红外和光致衰退研究
《功能材料》2004年第z1期3181-3183,共3页荣延栋 阴生毅 胡跃辉 吴越颖 朱秀红 周怀恩 张文理 邓金祥 陈光华 
国家重点基础研究发展计划973资助项目(G2000028201-1)
采用热丝辅助MWECR-CVD系统制备出了a-Si:H薄膜.应用傅立叶红外仪测量了薄膜的红外谱,用共面蒸铝电极法测量了薄膜的光电导.通过比较A样品(加入热丝)和B样品(未加热丝),得出在热丝辅助MWECR-CVD系统制备非晶硅薄膜过程中,热丝的光照对...
关键词：非晶硅 红外 光致衰退 
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