祁菁

作品数：4被引量：19H指数：3
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供职机构：兰州大学物理科学与技术学院更多>>
发文主题：存储器ZNO成核A-SI:H薄膜SI衬底更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《物理学报》《真空科学与技术学报》《兰州大学学报（自然科学版）》更多>>
所获基金：国家自然科学基金高等学校优秀青年教师教学科研奖励计划教育部重点实验室基金更多>>
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在AAO衬底上制备纳米Si阵列研究被引量：3
《兰州大学学报（自然科学版）》2007年第1期96-98,共3页胡海龙 彭尚龙 唐泽国 祁菁 贺德衍 
国家自然科学基金(10175030);高等学校优秀青年教师教学科研奖励计划资助项目
用等离子体增强化学气相沉积在多孔氧化铝(AAO)上制备出具有纳米Si阵列分布的薄膜,用透射电子显微镜和扫描电子显微镜观察了不同生长条件下的样品形貌和结构,用X射线衍射谱仪分析了样品的结晶状况．样品呈现出良好的场电子发射稳定性,...
关键词：纳米晶Si AAO衬底 PECVD 
H_2对Ar稀释SiH_4等离子体CVD制备多晶硅薄膜的影响被引量：3
《物理学报》2006年第11期5959-5963,共5页祁菁 金晶 胡海龙 高平奇 袁保和 贺德衍 
国家自然科学基金(批准号:10175030);高等学校优秀青年教师教学科研奖励计划资助的课题.~~
以SiH4,Ar和H2为反应气体,采用射频等离子体化学气相沉积方法在300℃下制备了低温多晶Si薄膜.实验发现,反应气体中H2的比例是影响薄膜结晶质量的重要因素,在适量的H2比例下制备的多晶Si薄膜具有结晶相体积分数高,氢含量低,生长速率快、...
关键词：低温多晶Si薄膜 等离子体CVD Ar稀释SiH4 H2比例 
电感耦合等离子体CVD低温生长硅薄膜过程中的铝诱导晶化被引量：5
《物理学报》2005年第1期269-273,共5页王晓强 栗军帅 陈强 祁菁 尹旻 贺德衍 
国家自然科学基金(批准号 :10 175 0 3 0 );北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室基金资助的课题~~
利用电感耦合等离子体CVD方法在 35 0℃的低温下在镀Al玻璃衬底上制备出具有良好结晶性的Si薄膜 .利用x射线衍射、紫外 可见分光椭圆偏振谱、原子力显微镜及x射线光电子谱等研究了薄膜的结构、表面形貌和成分分布等 .结果表明 ,用这种...
关键词：低温生长 电感耦合等离子体 X射线光电子谱 硅薄膜 衬底 分光 CVD 电子密度 结晶取向 晶化 
Al诱导a-Si:H薄膜的晶化被引量：9
《真空科学与技术学报》2005年第1期57-60,共4页祁菁 金晶 胡海龙 贺德衍 
国家自然科学基金 (No .10 175 0 3 0 )
采用等离子体化学气相沉积方法在镀Al玻璃及单晶Si衬底上制备了氢化非晶硅 (a Si:H)薄膜 ,研究了样品在不同的热处理过程中Al对其晶化过程的影响。X射线衍射测量发现 ,由于Al的存在使a Si:H的晶化温度大幅度降低 ,并得到了有强烈 (111)...
关键词：A-SI:H薄膜 SI衬底 非晶硅 幅度 等离子体化学气相沉积 晶化 单晶 结晶取向 热处理过程 成核 
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