金晶

作品数：2被引量：12H指数：2
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供职机构：兰州大学物理系更多>>
发文主题：成核A-SI:H薄膜SI衬底非晶硅晶化更多>>
发文领域：一般工业技术电子电信理学更多>>
发文期刊：《物理学报》《真空科学与技术学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金高等学校优秀青年教师教学科研奖励计划更多>>
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H_2对Ar稀释SiH_4等离子体CVD制备多晶硅薄膜的影响被引量：3
《物理学报》2006年第11期5959-5963,共5页祁菁 金晶 胡海龙 高平奇 袁保和 贺德衍 
国家自然科学基金(批准号:10175030);高等学校优秀青年教师教学科研奖励计划资助的课题.~~
以SiH4,Ar和H2为反应气体,采用射频等离子体化学气相沉积方法在300℃下制备了低温多晶Si薄膜.实验发现,反应气体中H2的比例是影响薄膜结晶质量的重要因素,在适量的H2比例下制备的多晶Si薄膜具有结晶相体积分数高,氢含量低,生长速率快、...
关键词：低温多晶Si薄膜 等离子体CVD Ar稀释SiH4 H2比例 
Al诱导a-Si:H薄膜的晶化被引量：9
《真空科学与技术学报》2005年第1期57-60,共4页祁菁 金晶 胡海龙 贺德衍 
国家自然科学基金 (No .10 175 0 3 0 )
采用等离子体化学气相沉积方法在镀Al玻璃及单晶Si衬底上制备了氢化非晶硅 (a Si:H)薄膜 ,研究了样品在不同的热处理过程中Al对其晶化过程的影响。X射线衍射测量发现 ,由于Al的存在使a Si:H的晶化温度大幅度降低 ,并得到了有强烈 (111)...
关键词：A-SI:H薄膜 SI衬底 非晶硅 幅度 等离子体化学气相沉积 晶化 单晶 结晶取向 热处理过程 成核 
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