王青

作品数：6被引量：12H指数：2
导出分析报告
供职机构：北京工业大学更多>>
发文主题：光探测器单片集成垂直腔面发射激光器PHEMT长波长更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术医药卫生更多>>
发文期刊：《功能材料》《物理学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-6
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
氢化非晶硅薄膜红外透射谱与氢含量被引量：6
《中国科学（G辑）》2004年第3期279-289,共11页胡跃辉 陈光华 吴越颖 阴生毅 高卓 王青 宋雪梅 邓金祥 
国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号: G2000028201)
研究了用氢化非晶硅薄膜红外透射谱的摇摆模和伸缩模计算氢含量的两种方法，分析了这两种方法在计算薄膜氢含量时引起差别的原因．理论推导及实验结果表明，若将SiH2和(SiH2)。含量大小用结构因子F=(I840+I880)I2000来表示，则在F值较...
关键词：氢化非晶硅薄膜 氢含量 红外透射谱 摇摆模 伸缩模 基线拟合 
Growth Rate of a-Si∶H Film Influenced by Magnetic Field Gradient in MWECR CVD Plasma System被引量：2
《Journal of Semiconductors》2004年第6期613-619,共7页胡跃辉 吴越颖 陈光华 王青 张文理 阴生毅 
国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号 :G2 0 0 0 0 2 82 0 1)~~
The magnetic field profiles,which are produced by three ways in the deposition chamber and plasma chamber of single coil divergent field MWECR CVD system,are investigated.The magnetic field gradient of these magnetic ...
关键词：magnetic field gradient Lorentz fit a-Si∶H film deposition rate MWECR CVD deposition system 
一种新型磁场MWECR-CVD和氢化非晶硅薄膜制备被引量：2
《Journal of Semiconductors》2004年第5期530-534,共5页殷生毅 陈光华 吴越颖 王青 刘毅 张文理 宋雪梅 邓金祥 
国家重点基础研究发展规划资助项目 (No.G2 0 0 0 0 2 82 0 1)~~
为了简化多电磁线圈 MWECR- CVD装置 ,提出将单个电磁线圈和一个永磁体单元组合 ,以形成所需的新型磁场 .这一磁场可使等离子体集聚于样片台上方 ,显著提高了等离子体的能量密度 .应用这种新型磁场的 MWE-CR- CVD装置沉积氢化非晶硅薄...
关键词：ECR—CVD 永磁体 磁场 氢化非晶硅 
MWECRCVD等离子体系统梯度磁场对沉积a-Si:H薄膜特性研究被引量：3
《物理学报》2004年第7期2263-2269,共7页胡跃辉 阴生毅 陈光华 吴越颖 周小明 周健儿 王青 张文理 
国家重点基础研究发展规划项目 (批准号 :G2 0 0 0 0 2 82 0 1)资助的课题~~
分别研究了磁场线圈电流为 115 2和 137 7A以及 137 7A并在加热台下加放SmCo永磁体的方法 ,来改变单磁场线圈分散场MWECRCVD系统等离子体室及沉积室磁场形貌 .用洛伦兹拟合定量地得到了三种磁场形貌的磁场梯度 .研究了磁场梯度对沉积a ...
关键词：梯度磁场 洛伦兹拟合 微波电子回旋共振化学气相沉积技术 薄膜生长 沉积速率 
热丝辅助MW ECR CVD法高速沉积优质氢化非晶硅薄膜
《功能材料》2004年第z1期3184-3186,共3页吴越颖 胡跃辉 阴生毅 荣延栋 王青 高卓 李瀛 宋雪梅 陈光华 
国家重点基础研究发展计划973资助项目(G2000028201-1)
我们用热丝辅助MW ECRCVD系统,在热丝温度分别为0、1350、1400、1450、1500、1600和1700℃时制备出a-Si:H薄膜.通过膜厚测定,红外光谱分析光、暗电导测量等手段,分析了其沉积速率、光敏性及光学带隙的变化规律.结果表明沉积速率和薄膜...
关键词：A-SI:H薄膜 热丝 光敏性 沉积速率 
a-Si:H薄膜的制备工艺对其光电特性的影响
《功能材料》2004年第z1期3198-3200,3204,共4页王青 阴生毅 胡跃辉 朱秀红 荣延栋 周怀恩 陈光华 
国家重点基础研究发展计划973资助项目(G2000028201-1)
采用MW-ECR CVD方法制备的a-Si:H薄膜在模拟太阳光照射下进行光敏性(σp.σ d)和光致衰退测试.对比了有、无热丝辅助沉积的薄膜的光电特性,得出沉积温度是影响薄膜光敏性的主要因素,而适当温度的热丝辅助对于薄膜的光致衰退有一定延缓作用.
关键词：氢化非晶硅 氢含量 光敏性 光致衰退 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部