a-Si:H薄膜的制备工艺对其光电特性的影响  

Effect of preparation technology on the photoelectric properties of a-Si:H thin films

作　　者：王青[1] 阴生毅[1] 胡跃辉[1] 朱秀红[1] 荣延栋[1] 周怀恩[1] 陈光华[1] 

机构地区：[1]北京工业大学,新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022 北京工业大学,新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022 北京工业大学,新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022 北京工业大学,新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022 北京工业大学,新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022 北京工业大学,新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022 北京工业大学,新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022

出　　处：《功能材料》2004年第z1期3198-3200,3204,共4页Journal of Functional Materials

基　　金：国家重点基础研究发展计划973资助项目(G2000028201-1)

摘　　要：采用MW-ECR CVD方法制备的a-Si:H薄膜在模拟太阳光照射下进行光敏性(σp.σ d)和光致衰退测试.对比了有、无热丝辅助沉积的薄膜的光电特性,得出沉积温度是影响薄膜光敏性的主要因素,而适当温度的热丝辅助对于薄膜的光致衰退有一定延缓作用.

关 键 词：氢化非晶硅 氢含量 光敏性 光致衰退 

分 类 号：O484.4[理学—固体物理]