热丝辅助MW ECR CVD法高速沉积优质氢化非晶硅薄膜  

High quality a-Si:H thin films deposited with high rate by HW-MW ECRCVD

作　　者：吴越颖[1] 胡跃辉[1] 阴生毅[1] 荣延栋[1] 王青[1] 高卓[1] 李瀛[1] 宋雪梅[1] 陈光华[1] 

机构地区：[1]北京工业大学,新型功能材料教育部重点实验室,北京100022

出　　处：《功能材料》2004年第z1期3184-3186,共3页Journal of Functional Materials

基　　金：国家重点基础研究发展计划973资助项目(G2000028201-1)

摘　　要：我们用热丝辅助MW ECRCVD系统,在热丝温度分别为0、1350、1400、1450、1500、1600和1700℃时制备出a-Si:H薄膜.通过膜厚测定,红外光谱分析光、暗电导测量等手段,分析了其沉积速率、光敏性及光学带隙的变化规律.结果表明沉积速率和薄膜质量均得到明显的提高,沉积速率超过3nm/s,光暗电导之比提高到6×105.找到最佳辅助热丝温度为1450℃.通过对带隙值的分析,发现当带隙值在1.6～1.7范围内时,薄膜几乎都具有105以上的光暗电导之比.

关 键 词：A-SI:H薄膜 热丝 光敏性 沉积速率 

分 类 号：O484.5[理学—固体物理]