金鑫

作品数：4被引量：2H指数：1
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供职机构：电子科技大学光电信息学院更多>>
发文主题：A-SIPECVD氢化非晶硅薄膜气体压强N型更多>>
发文领域：理学电子电信机械工程更多>>
发文期刊：《实验科学与技术》《半导体光电》《电子科技大学学报》更多>>
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气体压强对n型a-Si:H薄膜光学性能的影响
《电子科技大学学报》2009年第5期730-733,共4页李伟 陈宇翔 金鑫 姜宇鹏 杨光 蒋亚东 
部级基金(DZ0241)
用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)制备磷掺杂氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜,研究了辉光放电气体压强(20～80Pa)对薄膜折射率、消光系数、光学带隙以及氢含量的影响;用激光拉曼光谱研究了气体压强对a-Si:H薄膜微结构的影响,并与薄膜的...
关键词：傅里叶变换红外光谱 气体压强 氢化非晶硅 光学性能 拉曼光谱 
C元素对N型a-Si∶H薄膜微结构及电学特性的影响
《半导体光电》2009年第5期715-718,723,共5页金鑫 李伟 蒋亚东 廖乃镘 陈宇翔 陈德鹅 
采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺,制备了P-C二元复合掺杂氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜,研究了C元素对N型a-Si∶H薄膜暗电导率(σ)及电导激活能(Ea)的影响;利用激光拉曼光谱研究了C元素对薄膜微结构的影响,讨论了P-C二元复合掺杂a-Si...
关键词：PECVD 氢化非晶硅薄膜 P—C复合掺杂 微结构 暗电导率 
基片温度对掺磷a-Si:H薄膜光电性能的影响
《实验科学与技术》2009年第5期10-13,72,共5页金鑫 李远程 邓坤 陈宇翔 李伟 
采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法制备磷掺杂氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜。研究了不同基片温度对薄膜沉积速率、电阻率、折射率以及光学带隙等的影响。结果表明:a-Si:H薄膜的沉降速率随着基片温度的升高而增大;薄膜的电阻率随...
关键词：基片温度 A-SI:H薄膜 RF-PECVD 电阻率 光学性能 
气体压强对磷掺杂a-Si∶H薄膜电学性能的影响被引量：2
《半导体光电》2009年第4期550-554,共5页陈宇翔 李伟 金鑫 蒋亚东 廖乃镘 蔡海洪 李志 龚宇光 
部级基金资助项目(06DZ02)
用射频等离子增强化学气相沉积方法（RF—PECVD）制备磷掺杂氢化非晶硅（a—Si：H）薄膜，研究了辉光放电气体压强（20-80Pa）对薄膜的暗电导率、电导激活能以及电阻温度系数的影响；利用激光喇曼光谱研究了气体压强对a—Si：H薄膜微结...
关键词：PECVD 气体压强 氢化非晶硅薄膜 电学性能 喇曼光谱 
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