热丝辅助MW-ECRCVD制备a-Si:H薄膜及硅-氢键合模式变化的研究  

Variations in Si-H Bonding Modes and a-Si:H Growth by Hot Filament Assisted Microwave Electron Synchrotron Resonance Chemical Vapor Deposition

作　　者：张文理[1] 陈光华[1] 何斌[1] 朱秀红[1] 马占洁[1] 丁毅[1] 刘国汉[1] 郜志华[1] 宋雪梅[1] 

机构地区：[1]北京工业大学,新型功能材料教育部重点实验室,北京100022

出　　处：《真空科学与技术学报》2006年第z1期67-70,共4页Chinese Journal of Vacuum Science and Technology

摘　　要：采用热丝辅助微波电子回旋共振化学汽相沉积(MW ECR-CVD)系统制备氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜.实验证明在原有的MW ECR-CVD基础上加入热丝辅助系统能有效提高a-Si:H薄膜的沉积速率并大幅改善薄膜的稳定性;薄膜的沉积速率随着沉积压强的增加和热丝温度的上升而增加.通过光致衰退实验,将样品衰退前后的红外吸收谱图进行基线拟合和高斯函数拟合,计算得到薄膜的氢含量基本不发生变化,但Si-H与Si-H2组态的相对含量改变.

关 键 词：A-SI:H薄膜 沉积速率 键合模式 光致衰退 

分 类 号：O484.5[理学—固体物理]