王维燕

作品数:1被引量:1H指数:0
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供职机构:中国科学院大学更多>>
发文主题:磁控溅射制备A-SI:H薄膜非晶硅薄膜结构性能结构特性更多>>
发文领域:理学更多>>
发文期刊:《真空科学与技术学报》更多>>
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束流对氢离子源辅助磁控溅射制备a-Si:H薄膜结构特性的影响被引量:1
《真空科学与技术学报》2016年第6期654-658,共5页黄俊俊 王辉 丁明 周守发 李梦雨 刘琦 高敏 王维燕 
安徽省教育厅一般项目(KJ2015B1105905);中国科学院能量转换材料重点实验室开放课题基金(KF2016001)资助
利用氢离子源辅助磁控溅射制备氢化非晶硅薄膜(a-Si:H),借助拉曼光谱仪、红外光谱仪和椭圆偏振光谱仪等分析测试手段,研究氢离子源束流对a-Si:H薄膜结构特性影响规律。结果表明采用氢离子源辅助磁控溅射制备a-Si:H薄膜,有利于改善a-Si:...
关键词:离子源辅助溅射 非晶硅薄膜 结构性能 束流 
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