汪昌州

作品数：8被引量：27H指数：3
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供职机构：中国科学院上海高等研究院更多>>
发文主题：相变存储器SUBSBTE薄膜厚度更多>>
发文领域：理学电子电信自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
发文期刊：《物理学报》《人工晶体学报》《材料导报》《真空科学与技术学报》更多>>
所获基金：河南省科技攻关计划国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划河南省自然科学基金更多>>
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Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层薄膜的相变特性研究被引量：2
《物理学报》2013年第3期270-276,共7页汪昌州 朱伟玲 翟继卫 赖天树 
国家高技术研究发展计划(批准号:2008AA031402);国家自然科学基金(批准号:51202148);上海市纳米科技专项基金(批准号:1052nm07200)资助~~
采用磁控二靶(Ga(30)Sb(70)和Sb(80)Te(20))交替溅射方法制备了新型Ga(30)Sb(70)/Sb(80)Te(20)纳米复合多层薄膜,对多层薄膜周期中Ga(30)Sb(70)层厚度对相变特性的影响进行了研究.结果表明,多层薄膜的结晶温度可以通过周期中Ga(30)Sb(70...
关键词：纳米复合 多层薄膜 相变 光学特性 
基于相变存储器的相变存储材料的研究进展被引量：3
《材料导报》2009年第15期96-102,共7页汪昌州 翟继卫 姚熹 
国家高技术研究发展计划(863计划)重点项目(2008AA031402)
相变存储器具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、多级存储、与现有集成电路工艺相兼容等诸多优点,被认为是最具潜力的下一代存储器。简要介绍了相变存储材料的工作原理和对相变存储材料的性能要求,综述了近年来国内外在相变...
关键词：相变存储器 相变存储材料 Ge2Sb2Te5 
衬底温度和硼掺杂对p型氢化微晶硅薄膜结构和电学特性的影响被引量：4
《物理学报》2008年第8期5176-5181,共6页杨仕娥 文黎巍 陈永生 汪昌州 谷锦华 郜小勇 卢景霄 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB202601);河南省自然科学基金(批准号:072300410080)资助的课题~~
以B2H6为掺杂剂,采用射频等离子体增强化学气相沉积技术在玻璃衬底上制备p型氢化微晶硅薄膜.研究了衬底温度和硼烷掺杂比对薄膜的微结构和暗电导率的影响.结果表明:在较高的衬底温度下很低的硼烷掺杂比即可导致薄膜非晶化;在实验范围内...
关键词：p型氢化微晶硅薄膜 衬底温度 晶化率 电导率 
掺硼a-Si:H薄膜脉冲快速光热退火(PRPTA)的研究
《真空》2007年第3期28-31,共4页汪昌州 杨仕娥 赵尚丽 文书堂 卢景霄 
河南省科技攻关项目(0424210016)
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备掺硼非晶硅(a-Si:H)薄膜,然后用脉冲快速光热退火(PRPTA)法对其进行固相晶化。研究结果表明:掺硼a-Si:H薄膜在550℃恒温条件下退火3h后,其结晶状况无明显变化;而通过加高温热脉冲可以...
关键词：掺硼非晶硅薄膜 脉冲快速光热退火 固相晶化 
高气压下微晶硅薄膜的生长及微结构研究(英文)被引量：1
《人工晶体学报》2007年第3期646-649,686,共5页杨根 张丽伟 卢景霄 谷锦华 陈永生 文书堂 汪昌州 王子健 
The project supported by the National Basic Research Program(No.2006CB202601)(973 Program)
通过射频等离子体增强化学气相沉积,在高气压条件下制备了微晶硅薄膜,并用拉曼光谱仪(Ram an)、扫描电镜(SEM)研究了微晶硅薄膜的微观结构。发现沉积速率在5Torr左右出现极大值,薄膜的晶化率随着沉积气压的升高而降低,薄膜表面的晶粒或...
关键词：等离子体增强化学气相沉积 微晶硅薄膜 高气压 高速沉积 微观结构 
射频PECVD高速沉积微晶硅薄膜被引量：3
《真空科学与技术学报》2007年第3期250-253,共4页杨根 谷锦华 卢景霄 陈永生 张丽伟 吴芳 汪昌州 李红菊 
本文采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术高速沉积微晶硅薄膜。系统研究了射频功率、气体总流量、沉积气压、硅烷浓度等沉积参数对薄膜沉积速率和晶化率的影响。通过沉积参数的优化,使微晶硅薄膜沉积速率达到了3/s左右。
关键词：等离子体增强化学气相沉积 微晶硅薄膜 高压耗尽法 高速沉积 
硼掺杂对μc-Si:H薄膜微结构和光电性能的影响被引量：6
《人工晶体学报》2007年第1期123-128,共6页汪昌州 杨仕娥 陈永生 杨根 郜小勇 卢景霄 
河南省科技攻关项目(No.0424210016)
采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备了掺硼氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜,研究了硼掺杂对薄膜的结晶状况、沉积速率、暗电导率和光学带隙的影响。拉曼光谱、扫描电子显微镜、分光光度计和电导率测试结果表明:当掺硼比(B2H6/Si...
关键词：p型氢化微晶硅薄膜 掺硼比 晶化率 电导率 
硅基薄膜太阳电池窗口材料的研究进展被引量：10
《材料导报》2007年第1期14-17,共4页汪昌州 杨仕娥 卢景霄 
河南省科技攻关项目(0424210016)
综述了硅基薄膜太阳电池窗口材料的发展及应用现状,比较分析了几种常用窗口材料的光电性能,并讨论了掺杂剂的影响。最后展望了太阳电池窗口材料的研究和发展趋势。
关键词：窗口材料 薄膜 太阳电池 掺杂 
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