氢化微晶硅薄膜

作品数：11被引量：59H指数：5
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衬底材料对空心阴极沉积氢化微晶硅薄膜的影响
《真空》2014年第2期31-34,共4页葛腾 陈玖香 张受业 施继龙 陈强 
国家自然科学基金(No.11175024;11375031);北京市自然科学基金(No.1112012);2011BAD24B01;KM201110015008;KM201010015005;KM201310015006;北京印刷学院重点项目(No.23190113051);PHR20110516;PHR201107145;2012年度福建省科技厅工业科技重点项目(2012H0008)共同资助
本文中，我们采用空心阴极等离子体增强化学气相沉积（MHC-PECVD）在玻璃、表面溅射氧化铟锡（ITO）的玻璃（玻璃＋ITO）以及表面溅射ITO的聚酰亚胺（PI＋ITO）柔性衬底上沉积氢化微晶硅（μc-Si：H），研究不同衬底材料对微晶硅薄膜性...
关键词：微晶硅 低温沉积 空心阴极放电 结晶率 柔性衬底 
高气压下氢化微晶硅薄膜的高速沉积
《真空》2010年第3期20-23,共4页申陈海 卢景霄 陈永生 郭学军 陈庆东 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB202601)资助课题
利用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)制备了一系列微晶硅(μc-Si:H)薄膜。研究分析了功率密度、硅烷浓度和气体流量在较高沉积气压(500 Pa和600 Pa)下对薄膜生长速率、结晶状况和电学特性的影响。研究表明:在高压强条件下,硅...
关键词：μc-Si:H VHF-PECVD 高速沉积 结晶状况 电学特性 
氢化微晶硅薄膜的两因素优化及高速沉积被引量：4
《真空科学与技术学报》2009年第5期494-498,共5页申陈海 卢景霄 陈永生 郭学军 
国家重点基金研究发展计划(批准号:No.2006CB202601)
采用甚高频等离子体辅助化学气相沉积技术(VHF-PECVD)分别对薄膜沉积参数进行了功率密度—沉积气压和硅烷浓度—气体总流量两因素优化。主要研究沉积参数对薄膜沉积速率和结晶状况的影响,结果表明:高沉积压强下,功率密度的提高对微晶硅...
关键词：μc-Si∶H VHF-PECVD 生长速率 晶化率 孵化层 分步沉积 
掺磷微晶硅薄膜的微结构及光学性质的研究被引量：7
《真空科学与技术学报》2008年第4期365-369,共5页刘玉芬 郜小勇 刘绪伟 赵剑涛 卢景霄 
国家"973"子课题(No.2006CB202601)
本文采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在普通玻璃上制备了本征和掺磷的氢化微晶硅(μc-Si∶H)薄膜。利用Raman散射谱,计算了表征其薄膜微结构的晶化率(Xc)和平均晶粒尺寸(d)。结果表明随着磷烷(PH3)浓度的增加,其Xc和d均呈现...
关键词：氢化微晶硅薄膜 晶化率 平均晶粒尺寸 光学带隙 Kronig—Penney模型 
沉积温度对微晶硅薄膜结构特性的影响被引量：16
《物理学报》2007年第7期4122-4126,共5页陈永生 郜小勇 杨仕娥 卢景霄 谷锦华 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB202601)资助的课题.~~
采用PECVD技术,在玻璃衬底上沉积μc-Si:H薄膜.用拉曼光谱、SEM和UV分光光度计对不同沉积温度下沉积的薄膜的结构特性进行分析.研究发现:沉积温度较低时,随着沉积温度的升高,薄膜的晶化率增加;当沉积温度超过某一温度值时,随着温度的进...
关键词：氢化微晶硅薄膜 拉曼散射谱 晶化率 UV分光光度计 
HW-MWECR-CVD法制备氢化微晶硅薄膜及其微结构研究被引量：9
《物理学报》2006年第11期6147-6151,共5页刘国汉 丁毅 朱秀红 陈光华 贺德衍 
国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:G000028201);甘肃省自然科学基金(批准号:3ZS051-A25-052)资助的课题.~~
用热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积方法制备出高晶化体积分数的氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜.拉曼散射和X射线衍射技术对样品的微观结构测量分析表明,当反应气体中SiH4浓度在3.6%—50%之间大范围变化时,μc-Si:H薄膜均具有高的晶化...
关键词：微波电子回旋共振化学气相沉积 氢化微晶硅薄膜 拉曼散射 X射线衍射 
弱硼掺杂补偿对氢化微晶硅薄膜制备与特性的影响被引量：5
《Journal of Semiconductors》2005年第6期1164-1168,共5页黄君凯 杨恢东 
国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:G200002822;G200002823)~~
研究了弱硼掺杂补偿对甚高频等离子体增强化学气相沉积方法生长氢化微晶硅薄膜(μc-Si∶H)及材料特性的影响.实验发现,随着弱硼补偿剂量的增大,μc-Si∶H薄膜的沉积速率先减小后增加,变化范围约为0.7～0.8nm/s.相比较而言,材料的结晶度...
关键词：甚高频等离子体增强化学气相沉积 氢化微晶硅薄膜 弱硼掺杂补偿 
二次离子质谱深度剖面分析氢化微晶硅薄膜中的氧污染被引量：6
《物理学报》2005年第4期1895-1898,共4页张晓丹 赵颖 朱锋 魏长春 麦耀华 高艳涛 孙建 耿新华 熊绍珍 
国家重点基础研究发展规划 (批准号 :G2 0 0 0 0 2 82 0 2 ;G2 0 0 0 0 2 82 0 3 );教育部科学技术研究重点项目 (批准号 :0 2 167);国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2AA3 0 3 2 61)资助的课题~~
运用二次离子质谱研究了甚高频等离子体增强化学气相沉积制备的不同硅烷浓度和功率条件下薄膜中的氧污染情况 .结果发现 :薄膜中的氧含量随硅烷浓度和功率的变化而改变 .制备的微晶硅薄膜 ,晶化程度越高薄膜中的氧含量相对越多 .另外 ,...
关键词：甚高频等离子体增强化学气相沉积 二次离子质谱 氧污染 微晶硅薄膜 
VHF-PECVD法高速率沉积氢化微晶硅薄膜被引量：5
《太阳能学报》2004年第2期127-132,共6页杨恢东 吴春亚 黄君凯 麦耀华 张晓丹 薛俊明 任慧志 赵颖 耿新华 熊绍珍 
国家重点基础发展规划项目"973"资助(G20000282 2;G20000282 3)
采用光发射谱(OES)技术对氢化微晶硅(μc Si∶H)薄膜的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF PECVD)生长过程进行了原位监测,并对不同沉积条件下VHF等离子体中SiH 和H 的发光峰强度与薄膜沉积速率之间的关系进行了分析与讨论。通过Raman...
关键词：光发射谱 氢化微晶硅薄膜 甚高频等离子体化学气相沉积 高速沉积 
甚高频等离子体增强化学气相沉积法沉积μc-Si∶H薄膜中氧污染的初步研究被引量：8
《物理学报》2003年第11期2865-2869,共5页杨恢东 吴春亚 赵颖 薛俊明 耿新华 熊绍珍 
国家重点基础研究发展规划项目 (批准号 :G2 0 0 0 0 2 82 0 2和G2 0 0 0 0 2 82 0 3 );国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2AA3 0 3 2 60 )资助的课题~~
对不同的本底真空条件下 ,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积的氢化微晶硅 (μc_Si∶H)薄膜中的氧污染问题进行了比较研究 .对不同氧污染条件下制备的薄膜样品的x射线光电子能谱与傅里叶变换红外吸收光谱测量结果表明 :μc_Si...
关键词：甚高频等离子体增强 化学气相沉积法沉积 氧污染 氢化微晶硅薄膜 X射线光谱 电导率 激活能 拉曼光谱 光暗电导率 
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