VHF-PECVD

作品数:59被引量:133H指数:6
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基于溅射后腐蚀ZnO的单结微晶硅太阳电池中的陷光研究被引量:1
《太阳能学报》2016年第4期801-807,共7页白立沙 刘伯飞 赵慧旭 赵颖 张晓丹 
国家高技术研究发展(863)计划(2013AA050302);高等学校博士学科点专项科研基金(20120031110039)
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,研究衬底表面形貌和电学特性的变化对微晶硅单结太阳电池性能的影响。通过对不同腐蚀时间溅射ZnO∶Al衬底及基于此的微晶硅单结电池进行研究发现:衬底表面横纵特征尺寸可通过腐蚀时...
关键词:微晶硅薄膜太阳电池 VHF-PECVD 衬底 陷光 
12%效率大尺寸非晶/微晶硅叠层薄膜太阳能电池在理想能源VHF-PECVD设备上的开发
《中国科技信息》2014年第24期65-66,共2页吴科俊 陈金元 胡宏逵 马哲国 董家伟 
国家高技术研究发展计划(863计划)
随着人类对能源需求的日益增加,太阳能作为一种可再生能源,越来越受到业界的广泛关注。其中硅基薄膜太阳能电池由于其材料成本低,环境污染少、弱光效应好、制备工艺简单、以及可弯曲、便于连续大规模生产等优点,已成为解决能源危机与环...
关键词:微晶硅薄膜 VHF-PECVD 薄膜太阳能电池 非晶硅 硅基薄膜 能源危机 叠层结构 污染综合治理 可再生能源 能源需求 
放电功率对VHF-PECVD沉积微晶硅薄膜的生长特性的仿真模拟被引量:3
《真空科学与技术学报》2014年第1期91-95,共5页陈喜平 陈永生 李新利 郝秀利 卢景霄 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2011CB201606);国家自然科学基金(批准号:51007082)资助的课题
甚高频等离子体增强化学气相沉积技术是当前高速制备优质微晶硅(μc-Si:H)薄膜的主流方法,其生长机理也一直是研究的热点和难点。本文采用Comsol软件中的等离子模块和Chemkin软件中的AUROR模块相结合的方法,对H2和SiH4混合气体等离子体...
关键词:甚高频等离子体增强化学气相沉积 微晶硅薄膜 模拟 光发射谱 
放电功率对VHF-PECVD微晶硅薄膜生长过程的影响被引量:1
《人工晶体学报》2013年第11期2246-2251,共6页杨仕娥 崔宗超 郭巧能 陈永生 李艳阳 卢景霄 
国家重点基础研究发展计划(973计划)(2011CB201606);国家自然科学基金(11204276;51007082)
采用基于有限元的数值模拟方法,研究了VHF-PECVD法制备微晶硅薄膜的等离子体放电和气相反应过程,模拟了放电功率对等离子体特性及气相化学的影响,并与光发射谱(OES)在线监测结果进行了比较。模拟结果表明:当放电功率从30 W增大至70 W时...
关键词:微晶硅 等离子体 数值模拟 光发射谱 
本征微晶硅薄膜的激活能特性研究被引量:1
《滨州学院学报》2011年第6期59-62,共4页陈庆东 王俊平 马国利 
滨州学院科研基金项目(BZXYG1111)
利用激活能测试装置测量了VHF-PECVD高速沉积的本征微晶硅薄膜的激活能,结果表明,在不同沉积条件下制备的本征微晶硅薄膜的晶化处于非晶-微晶相变域附近,激活能都偏低,存在氧污染问题.给出了氧污染解决途径.
关键词:VHF-PECVD 微晶硅 激活能 
Evolution of infrared spectra and optical emission spectra in hydrogenated silicon thin films prepared by VHF-PECVD
《Chinese Physics B》2011年第7期440-445,共6页侯国付 耿新华 张晓丹 孙建 张建军 赵颖 
Project supported by the National High Technology Research and Development Program of China (Grant No. 2009AA050602);the International Cooperation Project between China-Greece Government (Grant No. 2009DFA62580);the National Basic Research Program of China (Grant Nos. 2011CBA00705, 2011CBA00706, and 2011CBA00707)
A series of hydrogenated silicon thin films with varying silane concentrations have been deposited by using very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (VHF-PECVD) method. The deposition process an...
关键词:Fourier transfer infrared spectroscopy optical emission spectroscopy Si H bonding con-figuration oxygen impurity 
高压高功率VHF-PECVD的微晶硅薄膜高速沉积被引量:2
《光电子.激光》2011年第5期722-724,共3页赵之雯 刘玉岭 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308);高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20050080007)
采用高压高功率(hphP)甚高频等离子体强强化学气相沉积(VHF-PECVD)法对微晶硅(μc-Si:H)进行高速沉积,在最优沉积条件参数下对hphP和低压低功率(lplP)两组样品沉积速率、光电导、暗电导及光敏性等性能参数进行测试,得到了1.58 nm/s的较...
关键词:微晶硅(μc-Si:H)薄膜 高压高功率(hphP)VHF-PECVD 高速沉积 
应用高压高功率的微晶硅薄膜高速沉积
《光电子.激光》2011年第4期555-557,共3页赵之雯 刘玉岭 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308);高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20050080007)
应用高压高功率(hphP)甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)法对微晶硅(μc-Si:H)进行高速沉积,确定了hphP VHF-PECVD法沉积μc-Si:H的最优条件参数,在此参数下对hphP和低压低功率(lplP)两组样品沉积速率、光电导、暗电导及光敏性...
关键词:微晶硅(μc-Si:H)薄膜 高压高功率(hphP)甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD) 高速沉积 
VHF-PECVD法制备μc-SiGe薄膜的研究被引量:2
《光电子.激光》2011年第3期382-386,共5页敦亚琳 张建军 张丽平 张鑫 曹宇 郝秋艳 耿新华 赵颖 
国家高技术研究发展计划资助项目(2009AA05Z422);国家重点基础研究发展规划“973”资助项目(2006CB202602,2006CB202603);天津市应用基础及前沿技术研究计划资助项目(08JCZDJC22200)
分别以Si2H6和GeH4及SiH4和GeH4两种组合气体为源气体,用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)制备μc-SiGe薄膜,用Raman散射光谱和原子力显微镜(AFM)对薄膜的结构进行研究。结果表明:与SiH4和GeH4制备的薄膜系列相比,Si2H6和GeH4...
关键词:μc-SiGe薄膜 甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD) RAMAN光谱 原子力显微镜(AFM) 
VHF-PECVD沉积本征微晶硅薄膜氧污染研究
《真空》2010年第5期24-27,共4页陈庆东 王俊平 张宇翔 卢景霄 
通过激活能测试装置测量VHF-PECVD高速沉积的本征微晶硅薄膜,并对不同沉积功率、不同沉积压强条件下沉积制备的样品的激活能进行了分析研究。结果表明:在不同功率、不同气压沉积条件下沉积的微晶硅薄膜,激活能偏低,薄膜在沉积过程中被...
关键词:VHF-PECVD 微晶硅 激活能 
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