申陈海

作品数：5被引量：18H指数：2
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供职机构：郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室更多>>
发文主题：微晶硅薄膜VHF-PECVD晶化率氢化微晶硅薄膜H更多>>
发文领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
发文期刊：《物理学报》《真空科学与技术学报》《真空》更多>>
所获基金：国家重点基础研究发展计划河南省自然科学基金更多>>
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高气压下氢化微晶硅薄膜的高速沉积
《真空》2010年第3期20-23,共4页申陈海 卢景霄 陈永生 郭学军 陈庆东 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB202601)资助课题
利用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)制备了一系列微晶硅(μc-Si:H)薄膜。研究分析了功率密度、硅烷浓度和气体流量在较高沉积气压(500 Pa和600 Pa)下对薄膜生长速率、结晶状况和电学特性的影响。研究表明:在高压强条件下,硅...
关键词：μc-Si:H VHF-PECVD 高速沉积 结晶状况 电学特性 
衬底H等离子体预处理时间对微晶硅薄膜生长的影响
《真空》2009年第6期59-62,共4页丁艳丽 朱志立 谷锦华 王志勇 申陈海 杨仕娥 卢景霄 
国家重点研究发展规划项目(2006CB202601);河南省自然科学基金(82300443203)
本文采用VHF-PECVD技术制备了系列硅薄膜,通过椭圆偏振技术及拉曼测试手段研究了衬底表面预处理时间对微晶硅薄膜的微结构及其生长的影响。实验结果表明:随衬底预处理时间(0~10min)的延长,薄膜的晶化率从14%提高到44%;薄膜表面的硅团簇...
关键词：微晶硅薄膜 晶化率 生长指数 表面粗糙度 
氢化微晶硅薄膜的两因素优化及高速沉积被引量：4
《真空科学与技术学报》2009年第5期494-498,共5页申陈海 卢景霄 陈永生 郭学军 
国家重点基金研究发展计划(批准号:No.2006CB202601)
采用甚高频等离子体辅助化学气相沉积技术(VHF-PECVD)分别对薄膜沉积参数进行了功率密度—沉积气压和硅烷浓度—气体总流量两因素优化。主要研究沉积参数对薄膜沉积速率和结晶状况的影响,结果表明:高沉积压强下,功率密度的提高对微晶硅...
关键词：μc-Si∶H VHF-PECVD 生长速率 晶化率 孵化层 分步沉积 
微晶硅薄膜高速沉积及电学性质的研究被引量：1
《物理学报》2009年第10期7288-7293,共6页申陈海 卢景霄 陈永生 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB202601)资助的课题~~
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术在高功率密度和高压强条件下,通过改变硅烷浓度和气体总流量对薄膜沉积参数进行了两因素优化,最终在硅烷浓度为4.5%,气体总流量为100sccm条件下,获得沉积速率1.42nm/s,电导激活能0.4...
关键词：μc-Si:H 甚高频等离子体增强化学气相沉积 高速沉积 电学特性 
甚高频高速沉积微晶硅薄膜的研究被引量：13
《物理学报》2008年第9期6002-6006,共5页郭学军 卢景霄 陈永生 张庆丰 文书堂 郑文 申陈海 陈庆东 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB202601)资助的课题~~
采用甚高频化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备了系列微晶硅(μc-Si:H)薄膜样品,重点研究了硅烷浓度、功率密度、沉积气压和气体总流量对薄膜沉积速率和结晶状态的影响,绘制了沉积气压和功率密度双因素相图.以0.75nm/s的高速沉积了器件质...
关键词：微晶硅薄膜 高速沉积 甚高频化学气相沉积 
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