氢化非晶硅薄膜光衰退稳定性的影响因素  

Light Degradation Stability of a-Si:H Films

作　　者：马占洁[1] 陈光华[1] 何斌[1] 刘国汉[2] 朱秀红[1] 张文理[1] 李志中[1] 郜志华[1] 宋雪梅[1] 邓金祥[1] 

机构地区：[1]北京工业大学,新型功能材料教育部重点实验室,北京100022 [2]兰州大学,物理科学与工程学院,兰州730000

出　　处：《真空科学与技术学报》2006年第z1期98-100,共3页Chinese Journal of Vacuum Science and Technology

摘　　要：用热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积制备样品,通过红外吸收谱图和光衰退图,分析影响a-Si:H薄膜光衰退稳定性的因素:一方面,非晶硅网格中氢含量、氢硅键合方式以及氢的运动情况均对非晶硅材料的稳定性起着十分重要的作用,另一方面,在非晶硅的基体上生长少量微晶硅,可提高薄膜的稳定性.最终希望能通过两者的结合来探讨如何制备高光敏性和低光致衰退的非晶硅薄膜.

关 键 词：A-SI:H 光衰退稳定性 氢运动 微晶硅 

分 类 号：O484.5[理学—固体物理]