低介电常数纳米多孔二氧化硅薄膜的制备  

Preparation of Nanoporous Silica Films with Low Dielectric Constant

作　　者：王娟[1] 张长瑞[1] 冯坚[1] 

机构地区：[1]国防科学技术大学,新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室,湖南,长沙,410073 国防科学技术大学,新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室,湖南,长沙,410073 国防科学技术大学,新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室,湖南,长沙,410073

出　　处：《稀有金属材料与工程》2004年第z1期141-144,共4页Rare Metal Materials and Engineering

基　　金：国防预研项目资助(41312040307)

摘　　要：以正硅酸乙酯为原料,采用溶胶-凝胶法、旋转涂胶和超临界干燥工艺在硅片上制备了纳米多孔SiO2薄膜.用近线性生长模型和分形生长模型研究了SiO2溶胶的粘度-时间曲线,确定了SiO2溶胶的结构演变过程.适合旋转涂胶的SiO2溶胶的粘度为9 mPa·s～15 mPa·s;旋转涂胶时SiO2溶胶的粒子尺寸与其浓度密切相关.该SiO2薄膜具有三维网络结构,表面均匀平整,SiO2微粒直径为10nm～20 nm.SiO2薄膜的厚度为400nm～1 000nm;折射率为1.09～1.24;介电常数为1.5～2.5.

关 键 词：纳米多孔二氧化硅薄膜 溶胶-凝胶 低介电常数 粘度 

分 类 号：TB343[一般工业技术—材料科学与工程]