Entegris新的分析方法延长先进光学光刻的寿命  

出　　处：《集成电路应用》2009年第4期12-12,共1页Application of IC

摘　　要：Entegris公司介绍了一种新的解决方案,能够精确测量和控制在先进半导体光刻过程中引起污染的挥发性有机化合物。如果不加控制,这些低分子量、含硅物质或有机化合物(如TMS)已被证明影响248纳米和193纳米曝光工具,并可能导致敏感和昂贵的光学元件永久性损坏。

关 键 词：光学光刻 Entegris 低分子量 分析方法 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]