硅锗应变沟道MOSFET器件中阈值电压的解析模型  

作　　者：周少华[1] 熊琦[1] 李锐敏[1] 

机构地区：[1]湖南工程职业技术学院,湖南长沙410015

出　　处：《硅谷》2008年第24期8-8,92,共2页

基　　金：湖南省自然科学基金资助项目(批准号:06JJ2085);湖南省教育厅科学研究基金资助项目(批准号:07D025)

摘　　要：在分析应变Si/应变Si1-YGeY/驰豫Si1-XGeX pMOSFET的在栅极电压作用下电荷在栅氧化层下面的分布情况的基础上,通过求解泊松方程,得到此器件的隐埋SiGe沟道阈值电压解析模型和表面沟道的阈值电压解析模型,并用典型参数对模型进行了模拟,得到的模拟结果与实验结果能够很好的吻合。

关 键 词：SIGE MOSFET器件 阈值电压 解析模型 

分 类 号：TM8[电气工程—高电压与绝缘技术]