一种用于RFID标签芯片LDO稳压源的设计  

作　　者：杨盛波[1] 唐宁[1] 覃贤芳[1] 

机构地区：[1]桂林电子科技大学信息与通信学院,广西541004

出　　处：《安防科技》2008年第12期37-41,共5页SAFETY & SECURITY TECHNOLOGY

摘　　要：基于RFID标签芯片的低功耗要求,本文设计了一种超低功耗的LDO稳压源。其特点是采用0.35μm标准的CMOS数字工艺,采用弱偏置电流,使电路中的主要功能MOS管都工作在亚阈值状态,结构简单、低功耗以及电压温度稳定性好。在spectre环境下仿真表明,该LDO稳压源有较宽的输入电压范围(3～8V),较低的输入输出压差(10mV),并且电路所消耗的功率在20μW左右。

关 键 词：亚阈值 带隙基准源 电源抑制比 低功耗 LDO 

分 类 号：X9[环境科学与工程—安全科学]