覃贤芳

作品数：3被引量：6H指数：1
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供职机构：桂林电子科技大学信息与通信学院更多>>
发文主题：电源抑制比带隙基准源低功耗CMOS工艺PTAT电流更多>>
发文领域：电子电信环境科学与工程更多>>
发文期刊：《电子科技》《电子技术应用》《安防科技》更多>>
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可用于音频功放的过温保护电路设计被引量：4
《电子科技》2009年第10期7-9,35,共4页覃贤芳 唐宁 杨盛波 
在分析温度对集成电路芯片工作可靠性、安全性影响的基础上,利用与温度成正比的PTAT电流和负温度系数的PN结电压,设计了一种低功耗的过温保护电路。该电路结构简单、工艺兼容性好、具有良好的移植性,可以应用于音频功放及各类集成电路...
关键词：热保护 PTAT电流 CMOS工艺 迟滞特性 
一种工作在亚阈区超低功耗带隙基准源的设计被引量：1
《电子技术应用》2009年第2期71-73,77,共4页杨盛波 唐宁 覃贤芳 
基于RFID标签芯片的低功耗要求,设计了一种超低功耗的带隙基准电压源,电路中的主要MOS管都工作在亚阈值状态。在spectre环境下仿真表明,当电源电压为3 V～7 V,温度在-30℃～+120℃变化时,输出基准电压为1.8 V±0.001 V。电源电压抑制比(...
关键词：亚阂值 带隙基准源 电源抑制比 低功耗 
一种用于RFID标签芯片LDO稳压源的设计被引量：1
《安防科技》2008年第12期37-41,共5页杨盛波 唐宁 覃贤芳 
基于RFID标签芯片的低功耗要求,本文设计了一种超低功耗的LDO稳压源。其特点是采用0.35μm标准的CMOS数字工艺,采用弱偏置电流,使电路中的主要功能MOS管都工作在亚阈值状态,结构简单、低功耗以及电压温度稳定性好。在spectre环境下仿真...
关键词：亚阈值 带隙基准源 电源抑制比 低功耗 LDO 
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