碲镉汞分子束外延所用的Si衬底清洗的现状与进展  

Status and evolution of silicon substrates cleaning for HgCdTe growth by MBE

作　　者：许秀娟[1] 

机构地区：[1]华北光电技术研究所,北京,100015

出　　处：《红外与激光工程》2007年第z1期42-45,共4页Infrared and Laser Engineering

摘　　要：综述了碲镉汞分子束外延所用的si衬底的传统RCA清洗方法和改进的RCA清洗方法的机理、清洗特点和清洗局限.最后介绍了碲镉汞分子束外延所用的Si衬底清洗方法的进展.

关 键 词：SI衬底 RCA清洗 微粗糙度 各向异性 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学]