快速热化学沉积工艺条件对制备多晶硅薄膜的影响  

Effect of Technical Condition in RTCVD on Deposed Poly-Si Thin-Film

作　　者：万之坚[1] 李海峰[2] 黄勇[1,2] 张厚兴[1,2] 张立明[1] 许颖[3] 王文静[3] 

机构地区：[1]清华大学材料科学与工程系,北京100084 [2]清华大学深圳研究生院,深圳518057 [3]北京市太阳能研究所,北京100083

出　　处：《稀有金属材料与工程》2005年第z2期1149-1151,共3页Rare Metal Materials and Engineering

基　　金：北京市自然科学基金重点项目(2021001)

摘　　要：选用Al2O3陶瓷作为衬底,采用快速热化学法沉积多晶硅薄膜.实验研究了温度对薄膜生长的影响,结果表明,硅层的沉积速率随着温度升高而加快,并逐渐趋向1个稳定值.晶粒尺寸也随着温度升高而增大,在温度达到1000℃后保持不变.在此硅薄膜上,采用磷扩散掺杂,制备出太阳能电池器件,并且分析了掺杂量对电池效果的影响.

关 键 词：太阳电池 多晶硅薄膜 快速热化学气相沉积 

分 类 号：TG174.1[金属学及工艺—金属表面处理]