陶瓷衬底材料对多晶硅薄膜沉积质量的影响  

The Effects of Ceramic Substrates on The Quality of Deposited Polycrystalline Si Thin-film

作　　者：李海峰[1,2] 黄勇[1,2] 万之坚[2] 张厚兴[1,2] 张立明[2] 许颖[3] 王文静[3] 

机构地区：[1]清华大学深圳研究生院,深圳510855 [2]清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京100084 [3]北京市太阳能研究所,北京100083

出　　处：《稀有金属材料与工程》2005年第z2期1152-1154,共3页Rare Metal Materials and Engineering

基　　金：北京市自然科学基金重点项目(2021001)

摘　　要：通过对不同陶瓷衬底材料上沉积多晶硅薄膜性能的研究,分析了陶瓷材料本身的性质和热力学参数、晶体学参数等性能对多晶硅薄膜沉积质量的影响,在SiC衬底上制备了择优定向生长晶粒直径达190μm的多晶硅薄膜.

关 键 词：陶瓷衬底 多晶硅薄膜 太阳能电池 

分 类 号：TG174.1[金属学及工艺—金属表面处理]