InP外延材料的MBE生长模式  

Growth Modes of InP Epilayers Grown by Solid Source Molecular Beam Epitaxy

作　　者：皮彪[1] 舒永春[1] 林耀望[1,2] 徐波 姚江宏[1] 邢晓东[1] 曲胜春[2] 王占国[1,2] 

机构地区：[1]南开大学弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室,天津300457 [2]中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期28-32,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：天津市应用基础研究基金(批准号:06YFJZJC01100)及国家自然科学基金(批准号:60476042)资助项目Project supported by the Applied Basic Study Foundation of Tianjin (No.06YFJZJC01100) and the National Natural Science Foundation of China (No.60476042)

摘　　要：采用固态磷源分子束外延技术,在不同的生长条件下生长了InP外延材料,并用原子力显微镜对样品表面形貌进行了系统研究.实验结果表明,样品表面形貌的显著变化与生长模式发生变化有关;二维(2D)生长模式和三维(3D)生长模式之间存在转换的临界工艺条件.通过对实验数据的分析,绘制了InP外延生长模式对应工艺条件的区域分布图;在2D生长区域获得了高质量的InP/InP外延材料.

关 键 词：固态源分子束外延 INP 生长模式 

分 类 号：O472+.1[理学—半导体物理]