凹槽栅场板结构的AlGaN/GaN HEMT特性分析  

Characteristic of the Recessed-Gate AlGaN／GaN HEMT with a Field Plate

作　　者：陈辰[1,2] 陈堂胜 任春江 薛舫时 

机构地区：[1]南京大学物理系,南京210008 [2]单片集成电路和模块国家级重点实验室,南京210016

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期407-410,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：研究了无场调制板结构、有场调制板结构但无凹槽栅、结合场调制板结构和凹槽栅工艺三种AlGaN/GaN HEMT的动态I-V特性和微波特性,认为场调制板结构和凹槽栅工艺可以有效改善AlGaN/GaN HEMT器件沟道内电场分布,显著减小电流崩塌现象,提高器件的微波输出功率特性.利用此技术研制的1mm栅宽AlGaN/GaNHEMT输出功率大于10W.

关 键 词：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 场板 凹槽栅 动态测试 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]