用微结构压印提高GaN基发光二极管的输出光强  

Enhancement of Light Extraction from Microstructured GaN-Based Light Emitting Diodes by Technique of Nanoimprint

作　　者：包魁[1] 章蓓[1] 代涛[1] 康香宁[1] 陈志忠[1] 王志敏[1] 陈勇 

机构地区：[1]北京大学物理学院和宽禁带半导体研究中心,微流与纳米技术研究中心,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京100871 [2]Laboratoire de Photonique et Nanostructures,Route de Nozay,91460 Marcoussis,France

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期464-466,共3页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60077022,60276034,60577030和60607003),北京市科技项目(批准号:H030430020230)和国家重点基础研究发展规划(批准号:TG2007CB307004)资助项目

摘　　要：为了进一步提高GaN基发光二极管(LED)的出光效率,针对倒装焊GaN基发光二极管提出了一个在蓝宝石衬底出光面上引入二维微纳米阵列结构的新构想.根据这一构想,将微结构图形化压印和发光器件的封装有机地结合起来,利用一种简易可行的纳米压印-热硬化性聚合物压印技术,成功地制备出了带有微米级阵列超薄封装结构的LED.结果表明,这种带有微结构阵列LED的输出光强得到了明显增强,1mm×1mm大管芯GaN LED在350mA的直流电注入下的光功率比无微结构的LED提高了60%.这一成功为提高发光二极管的出光强度提供了一个有效的新途径.

关 键 词：GAN基发光二极管 出光效率 纳米压印技术 微结构 

分 类 号：TN203[电子电信—物理电子学]