王志敏

作品数:2被引量:7H指数:1
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供职机构:北京大学物理学院更多>>
发文主题:硅化合物硅半导体电子结构能隙更多>>
发文领域:理学电子电信更多>>
发文期刊:《Journal of Semiconductors》更多>>
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用微结构压印提高GaN基发光二极管的输出光强被引量:1
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期464-466,共3页包魁 章蓓 代涛 康香宁 陈志忠 王志敏 陈勇 
国家自然科学基金(批准号:60077022,60276034,60577030和60607003),北京市科技项目(批准号:H030430020230)和国家重点基础研究发展规划(批准号:TG2007CB307004)资助项目
为了进一步提高GaN基发光二极管(LED)的出光效率,针对倒装焊GaN基发光二极管提出了一个在蓝宝石衬底出光面上引入二维微纳米阵列结构的新构想.根据这一构想,将微结构图形化压印和发光器件的封装有机地结合起来,利用一种简易可行的纳米压...
关键词:GAN基发光二极管 出光效率 纳米压印技术 微结构 
锰硅化合物Mn4 Si7能带结构的研究被引量:6
《装甲兵工程学院学报》2006年第3期84-89,共6页张民 季诚响 韩荣生 王志敏 
MnSi1.7在光电子器件领域有广泛的应用前景。由于化合物结构的复杂,对MnSi1.7能带结构的研究仅限于实验上,而且不同实验测量的能隙值不同。首次利用“第一性原理”,对MnSi1.7(Mn4Si7相)的电子特性进行了理论计算。计算结果表明,Mn...
关键词:锰硅半导体 能带 电子结构 能隙 
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