垂直电极结构GaN基发光二极管的研制  

Vertical Electrode Structure GaN Based Light Emitting Diodes

作　　者：康香宁[1] 包魁[1] 陈志忠[1] 徐科[1] 章蓓[1] 于彤军[1] 聂瑞娟[1] 张国义[1] 

机构地区：[1]北京大学物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京大学宽禁带半导体研究中心,北京100871

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期482-485,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:60607003,60676032,60577030)

摘　　要：利用激光剥离技术(LLO)和晶片键合技术将GaN基发光二极管(LED)薄膜与蓝宝石衬底分离并转移到Si衬底上,高分辨X射线衍射(HRXRD)和阴极荧光谱(CL)结果表明激光剥离过程没有影响GaN量子阱的结构和光学性质,GaN和InGaN/GaN多量子阱的发光峰都呈现红移,这都来源于去除蓝宝石后薄膜中应力的释放.采用金属In和Pd的合金化键合过程解决了GaN材料与Si衬底的结合问题,结合逐个芯片剥离和键合的方式实现了GaN大面积均匀转移.成功研制了激光剥离垂直电极结构的GaN基LED,L-I测试特性表明器件的热饱和电流和出光功率都有很大的提高.

关 键 词：GAN LED 激光剥离 金属合金键合 垂直电极 

分 类 号：TN312.8[电子电信—物理电子学]