高阻GaN薄膜电阻率测量  

Resistivity Measurement of High-Resistivity GaN Film

作　　者：方测宝[1] 王晓亮[1] 肖红领[1] 王翠梅[1] 冉军学[1] 李成基[1] 罗卫军[1] 杨翠柏[1] 曾一平[1] 李晋闽[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,北京100083 中国科学院半导体研究所,北京100083 中国科学院半导体研究所,北京100083 中国科学院半导体研究所,北京100083 中国科学院半导体研究所,北京100083 中国科学院半导体研究所,北京100083 中国科学院半导体研究所,北京100083 中国科学院半导体研究所,北京100083 中国科学院半导体研究所,北京100083 中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期536-540,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：中国科学院知识创新工程(批准号:KGCX2-SW-107-1),国家自然科学基金(批准号:60606002)和国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311903,2006CB604905,513270605)资助项目

摘　　要：建立了绝缘电阻大于1013Ω和温度起伏小于0.1℃的高阻GaN薄膜电阻率装置,并简述了其测量电阻率的原理.研究了环境温度、湿度、漏电流、数据读取时间、测量电压、样品尺寸等因素对电阻率与迁移率的影响,并讨论了各种因素所引起的测量误差.

关 键 词：高阻GaN 电阻率 测量 

分 类 号：TN304.2[电子电信—物理电子学]