方测宝

作品数：3被引量：0H指数：0
导出分析报告
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：MOCVD电阻率测量电阻率测试电路MOCVD外延更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：中国科学院知识创新工程国家高技术研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-3
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
微波功率器件的滤波器测试电路
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期58-61,共4页罗卫军 陈晓娟 刘果果 刘新宇 王晓燕 方测宝 郭伦春 王晓亮 
在微波电路原理和半导体器件物理的基础上,设计和模拟了三种用于微波功率器件的测试电路,并且设计了与之配套的测试夹具.采用矢量网络分析仪对该测试电路和夹具,在3～8GHz范围内进行了小信号测试.模拟和测试结果表明,采用阶梯阻抗滤波...
关键词：滤波器 扇形线 测试电路 阶梯阻抗 叉指耦合电容 
高阻GaN薄膜电阻率测量
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期536-540,共5页方测宝 王晓亮 肖红领 王翠梅 冉军学 李成基 罗卫军 杨翠柏 曾一平 李晋闽 
中国科学院知识创新工程(批准号:KGCX2-SW-107-1),国家自然科学基金(批准号:60606002)和国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311903,2006CB604905,513270605)资助项目
建立了绝缘电阻大于1013Ω和温度起伏小于0.1℃的高阻GaN薄膜电阻率装置,并简述了其测量电阻率的原理.研究了环境温度、湿度、漏电流、数据读取时间、测量电压、样品尺寸等因素对电阻率与迁移率的影响,并讨论了各种因素所引起的测量误差.
关键词：高阻GaN 电阻率 测量 
MOCVD外延生长高阻GaN薄膜材料
《Journal of Semiconductors》2005年第z1期91-93,共3页方测宝 王晓亮 刘超 胡国新 王军喜 李建平 王翠梅 李成基 曾一平 李晋闽 
国家自然科学基金(批准号:60136020),国家重点基础研究发展规划(批准号:G20000683,2002CB311903)和国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA305304)资助项目
采用MOCVD技术在非有意掺杂的条件下,在C面蓝宝石衬底上制备出了高阻的GaN单晶薄膜样品.用扫描电子显微镜和原子力显微镜分析样品显示GaN外延膜的表面十分平整,表面粗糙度仅有～0.3nm.样品的X射线双晶衍射摇摆曲线(0002)峰的半峰宽为5.2...
关键词：MOCVD GAN 电阻率 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部