检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:詹锋[1] 黄社松[2] 倪海桥[2] 赵欢[2] 熊永华[2] 周宏余[1] 牛智川[2]
机构地区:[1]北京师范大学材料科学与工程系,射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京100875 [2]中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京100083
出 处:《Journal of Semiconductors》2007年第z1期141-144,共4页半导体学报(英文版)
基 金:国家自然科学基金,国家高技术研究发展计划和国家重大基础研究专项基金资助项目
摘 要:介绍了利用液滴外延法在晶格匹配体系AlGaAs/GaAs上自组织生长几种GaAs纳米结构.实验证实Ga液滴的形貌随晶化温度和As束流的不同而发生变化,形成一些有趣的GaAs纳米结构,如量子点、量子单环、量子双环、耦合量子双环和中国古币形状等.本文对这些纳米结构的生长机制进行了讨论.
分 类 号:TN304.2+3[电子电信—物理电子学]
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