熊永华

作品数:4被引量:2H指数:1
导出分析报告
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题:INAS量子点分子束外延单光子过渡层砷化镓更多>>
发文领域:理学电子电信更多>>
发文期刊:《半导体技术》《物理学报》《物理》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
-

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
条 记 录,以下是1-4
视图:
排序:
半导体InAs量子点单光子发射器件被引量:2
《物理》2010年第11期737-745,共9页牛智川 孙宝权 窦秀明 熊永华 王海莉 倪海桥 李树深 夏建白 
国家自然科学基金(批准号:10734060;90921015;60676054);国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB921504;2007CB921904)资助项目
文章概述了量子点单光子源的研究现状,综述了微腔量子点耦合单光子发射器件制备中关键的低密度InAs量子点外延技术,单量子点单光子发射二阶关联函数HBT检测方法,分布布拉格反馈微腔结构的制备以及实现液氮温度下电驱动微腔量子点单光子...
关键词:单光子 量子点 二阶关联函数 微腔 
电场调谐InAs单量子点的发光光谱
《物理学报》2010年第6期4279-4282,共4页常秀英 窦秀明 孙宝权 熊永华 倪海桥 牛智川 
国家自然科学基金(批准号:60676054)资助的课题~~
采用稳态和时间分辨发光光谱,研究了生长在p-i-n二极管结构内的InAs单量子点发光光谱的电场调谐特性.随着电场强度的增加,观察到量子点中激子发光的Stark效应.通过选择不同波长的激光线激发量子点样品,发现随着电场强度的增加导致量子...
关键词:InAs单量子点 STARK效应 电子-空穴分离 
异变生长GaAs基长波长InAs垂直耦合量子点
《半导体技术》2008年第S1期55-58,共4页王鹏飞 熊永华 吴兵朋 倪海桥 黄社松 牛智川 
GaAs基InAs自组织量子点在通信集成光电子以及新兴单光子器件中有着广泛应用,利用分子束外延生长方法获得长波长的InAs/GaAs量子点结构。提出了在GaAs基In0.05Ga0.95As异变过渡层上生长InAs/GaAs/InAs双层耦合量子点结构,同时利用InGaA...
关键词:分子束外延 INAS量子点 异变过渡层 光致发光谱 
液滴外延自组织GaAs纳米结构
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期141-144,共4页詹锋 黄社松 倪海桥 赵欢 熊永华 周宏余 牛智川 
国家自然科学基金,国家高技术研究发展计划和国家重大基础研究专项基金资助项目
介绍了利用液滴外延法在晶格匹配体系AlGaAs/GaAs上自组织生长几种GaAs纳米结构.实验证实Ga液滴的形貌随晶化温度和As束流的不同而发生变化,形成一些有趣的GaAs纳米结构,如量子点、量子单环、量子双环、耦合量子双环和中国古币形状等....
关键词:液滴外延 量子点 量子单环 量子双环 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部