吴兵朋

作品数：2被引量：4H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：分子束外延INAS量子点衬底INASGAAS基长波长更多>>
发文领域：理学电子电信机械工程更多>>
发文期刊：《光学学报》《半导体技术》更多>>
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双层堆垛长波长InAs/GaAs量子点发光性质研究被引量：4
《光学学报》2012年第1期254-259,共6页魏全香 吴兵朋 任正伟 贺振宏 牛智川 
国家自然科学基金(90921015;60625405)资助课题
研究了双层堆垛InAs/GaAs/InAs自组织量子点的生长和光致发光(PL)的物理性质。通过优化InAs淀积量、中间GaAs层厚度以及InAs量子点生长温度等生长条件,获得了室温光致发光1391～1438nm的高质量InAs量子点。研究发现对量子点GaAs间隔层...
关键词：材料 双层堆垛 INAS量子点 光致发光 分子束外延 
异变生长GaAs基长波长InAs垂直耦合量子点
《半导体技术》2008年第S1期55-58,共4页王鹏飞 熊永华 吴兵朋 倪海桥 黄社松 牛智川 
GaAs基InAs自组织量子点在通信集成光电子以及新兴单光子器件中有着广泛应用,利用分子束外延生长方法获得长波长的InAs/GaAs量子点结构。提出了在GaAs基In0.05Ga0.95As异变过渡层上生长InAs/GaAs/InAs双层耦合量子点结构,同时利用InGaA...
关键词：分子束外延 INAS量子点 异变过渡层 光致发光谱 
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