云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 贺振宏

贺振宏: 作品数：12被引量：19H指数：3; 导出分析报告; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文主题：分子束外延GAAS纳米线超晶格淀积更多>>; 发文领域：电子电信理学电气工程机械工程更多>>; 发文期刊：《光子学报》《发光学报》《物理学报》《航空兵器》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国航空科学基金江苏省自然科学基金更多>>

中波InAs/GaSb超晶格红外焦平面探测器被引量：6: 《航空兵器》2015年第1期49-51,共3页向伟王国伟徐应强郝宏玥蒋洞微任正伟贺振宏牛智川; 航空科学基金资助项目(20122436001);国家自然科学基金资助项目(61306013); 由分子束外延生长的GaSb基的InAs/GaSb超晶格材料具有良好的均匀性,其在制作红外焦平面探测器方面有独特的优势。分别采用生长中断和表面迁移率增强的分子束外延法在GaSb衬底上生长了中波段InAs/GaSb超晶格红外探测器材料,对比表明对于...; 关键词：In As/Ga Sb超晶格红外焦平面探测器分子束外延

1.5微米波段GaAs基异变InAs量子点分子束外延生长被引量：1: 《材料科学与工程学报》2014年第6期816-820,共5页魏全香王鹏飞任正伟贺振宏; 国家自然科学基金资助项目(90921015); 1.55微米波段GaAs基近红外长波长材料在光纤通讯,高频电路和光电集成等领域有潜在的应用价值。本文用分子束外延方法研究了GaAs基异变InAs量子点材料的生长,力图实现在拓展量子点发光波长的同时保持或增加InAs量子点的密度。在实验中,...; 关键词：异变 INAS量子点分子束外延发光波长

双层堆垛长波长InAs/GaAs量子点发光性质研究被引量：4: 《光学学报》2012年第1期254-259,共6页魏全香吴兵朋任正伟贺振宏牛智川; 国家自然科学基金(90921015;60625405)资助课题; 研究了双层堆垛InAs/GaAs/InAs自组织量子点的生长和光致发光(PL)的物理性质。通过优化InAs淀积量、中间GaAs层厚度以及InAs量子点生长温度等生长条件,获得了室温光致发光1391～1438nm的高质量InAs量子点。研究发现对量子点GaAs间隔层...; 关键词：材料双层堆垛 INAS量子点光致发光分子束外延

原子氢辅助分子束外延GaAs(331)A表面形貌演化(英文): 《光子学报》2008年第6期1107-1111,共5页牛智红任正伟贺振宏; National Natural Science Foundation of China(60176006); 研究了GaAs高指数面(331)A在原子氢辅助下分子束外延形貌的演化.原子力显微镜测试表明:在常规分子束外延情况下,GaAs外延层台阶的厚度和台面的宽度随衬底温度的升高而增加,增加外延层厚度会导致台阶的密度和台面的宽度增加然后饱和.而...; 关键词：原子氢分子束外延高指数面

GaAs(331)A面InAs自组织纳米结构形貌演化: 《真空科学与技术学报》2008年第2期108-111,共4页牛智红任正伟贺振宏; 国家自然科学基金(No.60176006)资助; 采用分子束外延方法在GaAs(331)A高指数衬底上制备自对齐InAs纳米线(QWRs)或者三维(3D)岛状结构。InAs纳米线(QWRs)选择性生长在GaAs层的台阶边缘。通过原子力显微镜(AFM)仔细研究了InAs纳米微结构的表面形貌,发现不同的生长条件,包括:...; 关键词：分子束外延表面形貌原子力显微镜量子线

脊形InGaAs量子阱激光器的高频响应研究: 《半导体光电》2008年第1期52-55,共4页孙彦彭红玲任正伟贺振宏; 对MBE生长的InGaAs量子阱(QW)激光器的频率特性进行了研究。研制了InGaAs QW脊波导结构的激光器,通过控制脊的腐蚀深度,得到阈值电流密度为300 A/cm2的激光器,且激光器在常温下工作稳定,输出功率较大,其阈值电流附近3 dB带宽超过2 GHz...; 关键词：量子阱激光器脊波导微分增益 3 dB带宽

快速高温热退火对InGaNAs/GaAs量子阱的影响: 《科技创新与生产力》2006年第S2期49-51,共3页牛智红任正伟李树英贺振宏; 国家自然科学基金资助项目[90201026];国家科技部"863计划"新材料技术领域光电子主题"十五"课题[2002AA312080]; 从系统自由能角度,阐明了MBE生长的InGaNAs量子阱材料在高温热退火过程中的结构和物理性能的变化。在热退火时,In-Ga互扩散和N-As互扩散引起spinodal分解,N原子趋向于与In结合形成In-N键,使InGaNAs材料的带隙增加,从而引起PL谱峰值的蓝移。; 关键词：InGaNAs 快速热退火 SPINODAL分解

超晶格覆盖层对拓展InAs量子点发光波长的影响: 《山西大学学报（自然科学版）》2005年第4期380-382,共3页牛智红任正伟贺振宏; 提出了一种调节InA s量子点长波长发光的方法.采用分子束外延生长G aA s/InA s短周期超晶格作覆盖层,可以拓展量子点发光波长至1.3μm^1.5μm.研究了不同超晶格周期作覆盖层对InA s量子点的晶体结构和光学特性的影响:发现随测试温度的升...; 关键词：量子点超晶格光荧光覆盖层

Material Growth and Device Fabrication of GaAs Based 1.3μm GaInNAs Quantum Well Laser Diodes被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2005年第9期1860-1864,共5页牛智川韩勤倪海桥杨晓红徐应强杜云张石勇彭红玲赵欢吴东海李树英贺振宏任正伟吴荣汉; 国家自然科学基金(批准号:90201026,60137020);国家高技术研究发展计划;国家重点基础研究专项资助项目~~; Material growth and device fabrication of the first 1.3μm quantum well （QW） edge emitting laser diodes in China are reported. Through the optimization of the molecular beam epitaxy （MBE） growth conditions and the...; 关键词：GaAs based materials GalnNAs quantum wells molecular beam epitaxy laser diodes

光伏新材料——掺氮碳薄膜溅射制备技术及测试被引量：2: 《固体电子学研究与进展》2003年第3期320-322,共3页丁正明周之斌崔容强孙铁囤贺振宏; 介绍了采用氮气离子束溅射 ,高纯石墨为靶材 ,沉积掺氮碳薄膜的设备及工艺技术。对薄膜的沉积过程作了讨论 ,采用 X射线光电子能谱 (XPS)技术等对薄膜结构成分、氮 -碳、碳 -碳原子之间的键以及结合能作了研究 ,在 (1 1 1 )单晶硅片上...; 关键词：光伏材料掺氮碳薄膜溅射制备技术测试碳/硅异质结 X射线光电子能谱太阳能电池

贺振宏