Material Growth and Device Fabrication of GaAs Based 1.3μm GaInNAs Quantum Well Laser Diodes  

1.3μmGaAs基GaInNAs量子阱生长与激光器研制(英文)

作　　者：牛智川[1] 韩勤[2] 倪海桥[1] 杨晓红[2] 徐应强[1] 杜云[2] 张石勇[1] 彭红玲[1] 赵欢[1] 吴东海[1] 李树英[1] 贺振宏[1] 任正伟[1] 吴荣汉[2] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京100083 [2]中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第9期1860-1864,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金(批准号:90201026,60137020);国家高技术研究发展计划;国家重点基础研究专项资助项目~~

摘　　要：Material growth and device fabrication of the first 1.3μm quantum well （QW） edge emitting laser diodes in China are reported. Through the optimization of the molecular beam epitaxy （MBE） growth conditions and the tuning of the indium and nitrogen composition of the GalnNAs QWs, the emission wavelengths of the QWs can be tuned to 1.3μm. Ridge geometry waveguide laser diodes are fabricated. The lasing wavelength is 1.3μm under continuous current injection at room temperature with threshold current of 1kA/cm^2 for the laser diode structures with the cleaved facet mirrors. The output light power over 30mW is obtained.报道了中国第一只1.30μm单量子阱边发射激光器的材料生长、器件制备及特性测试.通过优化分子束外延生长参数,调节In和N组分含量使GaInNAs量子阱的发光波长覆盖1.3μm范围.脊形波导条形结构单量子阱边发射激光器,实现了室温连续激射,激射波长为1.30μm,阈值电流密度为1kA/cm2,输出功率为30mW.

关 键 词：GaAs based materials GalnNAs quantum wells molecular beam epitaxy laser diodes 

分 类 号：TN248[电子电信—物理电子学]