双层堆垛长波长InAs/GaAs量子点发光性质研究  

Photoluminescence Study of Two Layer Stacked InAs/GaAs Quantum Dots

作　　者：魏全香[1] 吴兵朋[2] 任正伟[2] 贺振宏[2] 牛智川[2] 

机构地区：[1]山西大学物理电子工程学院,山西太原030006 [2]中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《光学学报》2012年第1期254-259,共6页Acta Optica Sinica

基　　金：国家自然科学基金(90921015;60625405)资助课题

摘　　要：研究了双层堆垛InAs/GaAs/InAs自组织量子点的生长和光致发光(PL)的物理性质。通过优化InAs淀积量、中间GaAs层厚度以及InAs量子点生长温度等生长条件,获得了室温光致发光1391～1438nm的高质量InAs量子点。研究发现对量子点GaAs间隔层实施原位退火、采用Sb辅助生长InGaAs盖层等方法可以增强高密度(2×1010 cm-2)InAs量子点的发光强度,减小光谱线宽,改善均匀性和红移发光波长。The molecular beam epitaxy growth and physical property of photoluminescence （PL） of two layer stacked InAs/GaAs quantum dots have been investigated. The emission wavelengths of the InAs quantum dots （QD） are extended to 1391 - 1438 nm through optimizations of growth conditions including InAs deposition amounts, thicknesses of GaAs space layers and growth temperatures. It is found that the PL intensities, wavelengths, line widths and uniformities of the high density （2 × 10^10 cm^-2） InAs QD are improved by using in-situ annealing of GaAs interval layers and Sb assisted growth of InGaAs cover layers.

关 键 词：材料 双层堆垛 INAS量子点 光致发光 分子束外延 

分 类 号：O436[机械工程—光学工程] O433.4[理学—光学]