快速高温热退火对InGaNAs/GaAs量子阱的影响  

The Effect of Rapid Thermal Annealing on InGaNAs / GaAs Quantum Wells

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作  者:牛智红 任正伟[2] 李树英[2] 贺振宏[2] 

机构地区:[1]山西综合职业技术学院轻工学院,山西太原030013 [2]中国科学院半导体研究所,北京100083

出  处:《科技创新与生产力》2006年第S2期49-51,共3页Sci-tech Innovation and Productivity

基  金:国家自然科学基金资助项目[90201026];国家科技部"863计划"新材料技术领域光电子主题"十五"课题[2002AA312080]

摘  要:从系统自由能角度,阐明了MBE生长的InGaNAs量子阱材料在高温热退火过程中的结构和物理性能的变化。在热退火时,In-Ga互扩散和N-As互扩散引起spinodal分解,N原子趋向于与In结合形成In-N键,使InGaNAs材料的带隙增加,从而引起PL谱峰值的蓝移。In this report, the effects of high temperature rapid thermal annealing on properties of InGaNAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy has been discussed. From free energy point of view, it is found that the inter-diffussion between In-Ga and N-As atoms caused by the rapid thermal annealing leads to a spinodal decomposition. The N atoms tend to bond to In atoms, resulting increments of energy band gap of InGaNAs materials and blue shifts of photoluminescence peaks.

关 键 词:InGaNAs 快速热退火 SPINODAL分解 

分 类 号:TG156.2[金属学及工艺—热处理]

 

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