闪锌矿结构CrAs薄膜在不同过渡层InGaAs和 GaAs上的分子束外延生长、结构及磁性  

Growth,Structure and Magnetic Property of zb-CrAs Films on Different Buffers of InGaAs and GaAs

作　　者：毕京锋[1] 赵建华[1] 邓加军[1,2] 郑玉宏[1] 王玮竹[1] 李树深[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京100083 [2]中国科技大学物理系,合肥230026

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期204-207,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金(批准号:10334030,10425419,60521001),国家重点基础研究专项基金(批准号:2001CB3095)资助项目

摘　　要：利用低温分子束外延技术分别在InGaAs和GaAs缓冲层上进行了CrAs薄膜的生长.截面高分辨透射电子显微镜图像表明,两种过渡层上生长的CrAs薄膜都保持着闪锌矿结构.利用超导量子干涉仪测量得到的残余磁矩和温度的关系曲线证明了两种过渡层上生长的CrAs薄膜的居里温度均高于400K.闪锌矿结构CrAs薄膜在不同缓冲层上的成功生长将可能拓宽这类具有室温铁磁性新型半金属薄膜在未来半导体自旋电子学领域的应用.

关 键 词：半金属 室温铁磁性 分子束外延 

分 类 号：TN304.2+3[电子电信—物理电子学]