郑玉宏

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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：分子束外延生长稀磁半导体CR掺杂分子束外延磁性质研究更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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闪锌矿结构CrAs薄膜在不同过渡层InGaAs和 GaAs上的分子束外延生长、结构及磁性
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期204-207,共4页毕京锋 赵建华 邓加军 郑玉宏 王玮竹 李树深 
国家自然科学基金(批准号:10334030,10425419,60521001),国家重点基础研究专项基金(批准号:2001CB3095)资助项目
利用低温分子束外延技术分别在InGaAs和GaAs缓冲层上进行了CrAs薄膜的生长.截面高分辨透射电子显微镜图像表明,两种过渡层上生长的CrAs薄膜都保持着闪锌矿结构.利用超导量子干涉仪测量得到的残余磁矩和温度的关系曲线证明了两种过渡层...
关键词：半金属 室温铁磁性 分子束外延 
Cr掺杂InAs自组织量子点的分子束外延生长及磁性质
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期211-214,共4页郑玉宏 赵建华 毕京锋 王玮竹 邓加军 夏建白 
国家自然科学基金(批准号:10334030,10425419,90301007,60521001)及国家重点基础研究专项基金(批准号:2001CB3095)资助项目
利用低温分子束外延技术制备了Cr掺杂的InAs铁磁性自组织量子点.高分辨电子显微镜分析表明InAs:Cr量子点保持了较好的闪锌矿结构.超导量子干涉仪磁性测量表明InAs:Cr自组织量子点的铁磁转变温度超过400K.
关键词：稀磁半导体 铁磁性 分子束外延 
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