Cr掺杂InAs自组织量子点的分子束外延生长及磁性质  

Growth and Characterization of Cr-Doped InAs Self-Organized Diluted Magnetic Quantum Dots

作　　者：郑玉宏[1] 赵建华[1] 毕京锋[1] 王玮竹[1] 邓加军[1,2] 夏建白[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京100083 [2]中国科技大学物理系,合肥230026

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期211-214,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金(批准号:10334030,10425419,90301007,60521001)及国家重点基础研究专项基金(批准号:2001CB3095)资助项目

摘　　要：利用低温分子束外延技术制备了Cr掺杂的InAs铁磁性自组织量子点.高分辨电子显微镜分析表明InAs:Cr量子点保持了较好的闪锌矿结构.超导量子干涉仪磁性测量表明InAs:Cr自组织量子点的铁磁转变温度超过400K.

关 键 词：稀磁半导体 铁磁性 分子束外延 

分 类 号：TN304.2[电子电信—物理电子学]